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北京金盛微納科技有限公司
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更新時間：2022-12-11 17:09:31瀏覽次數(shù)：1049次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線詳細(xì)描述本產(chǎn)品采用口徑φ150mm考夫曼型離子源，通過結(jié)構(gòu)的雙鉬柵離子光學(xué)系統(tǒng)及SHAG技術(shù)保證在φ100mm范圍內(nèi)束流的均勻性為±5%，電子中和系統(tǒng)可使樣片上的電荷積累為零
詳細(xì)描述
本產(chǎn)品采用口徑φ150mm考夫曼型離子源，通過結(jié)構(gòu)的雙鉬柵離子光學(xué)系統(tǒng)及SHAG技術(shù)保證在φ100mm范圍內(nèi)束流的均勻性為±5%，電子中和系統(tǒng)可使樣片上的電荷積累為零。
本設(shè)備的刻蝕工作臺可繞工作中心自轉(zhuǎn)，離子束入射角可在0～90°之間任意調(diào)整。
本設(shè)備具有刻蝕速率穩(wěn)定、均勻性好、重復(fù)性好等特點，可廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。
產(chǎn)品主要性能指標(biāo)
型號 | IBE-150B |
真空系統(tǒng) | 分子泵機組 |
刻蝕室數(shù)量 | 單刻蝕室 |
刻蝕室規(guī)格 | ?430×350×430mm |
工作臺尺寸 | ?150mm（片徑≤4英寸） |
離子束入射角 | 0～90°之間任意調(diào)整 |
刻蝕速率 | 100?～2000?/min（與刻蝕材料和工藝有關(guān)） |
刻蝕不均勻性 | ≤±5% |
Ar+離子能量范圍 | 100～1000eV，連續(xù)可調(diào) |
離子束流密度 | 0～1mA/cm2，連續(xù)可調(diào) |
有效離子束直徑 | ≥?100mm（屏柵極直徑?150mm） |
電子中和 | 帶有熱絲結(jié)構(gòu)的電子中和裝置 |
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