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PE型原子層沉積鍍膜設(shè)備

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公司名稱北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司
品牌
型號
所在地北京市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2018/6/21 17:02:31
訪問次數(shù)658

產(chǎn)品標(biāo)簽:

T型鍍膜設(shè)備 PECVD設(shè)備 PEALD設(shè)備

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公司介紹主營產(chǎn)品

公司名稱（現(xiàn)用名）：北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司
公司名稱（曾用名）：北京科立方真空技術(shù)應(yīng)用有限公司
覆蓋區(qū)域：北京、天津、河北

北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司，原名北京科立方真空技術(shù)應(yīng)用有限公司，創(chuàng)立于2013年，位于中國·首都北京密云經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，主體經(jīng)營分為真空配件銷售、真空設(shè)備定制、淺藍(lán)納米科技三個部分，是北京從事真空產(chǎn)品設(shè)計、制造、銷售、維修、保養(yǎng)于一體的專業(yè)性的公司，公司擁有一支專業(yè)、優(yōu)秀的產(chǎn)品技術(shù)工程師和維修技術(shù)工程師，具有豐富的行業(yè)經(jīng)驗，同時還與北京工業(yè)大學(xué)聯(lián)合研發(fā)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，與北京交通大學(xué)聯(lián)合研發(fā)原子層沉積系統(tǒng)，滿足高校、研究所的教學(xué)、科研使用，同時減少相關(guān)進(jìn)口設(shè)備的*，并力爭創(chuàng)造外匯，打出中國創(chuàng)造的！

我們的客戶遍布北京各高校和研究院所、電力試驗所、各級的材料、物理、化學(xué)、納米等研究領(lǐng)域*的實驗室，期待您就是我們的下一位客戶、朋友！

您的滿意微笑是我們一直努力追求的經(jīng)營目標(biāo)！

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我們熱誠歡迎國內(nèi)外*的儀器制造商及科學(xué)工作者與我們聯(lián)系開展各層面的合作,打造成*的真空系統(tǒng)產(chǎn)品、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)和原子層沉積系統(tǒng)供應(yīng)商。

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ALD設(shè)備，PECVD設(shè)備

產(chǎn)品簡介在線詢價

PE-ALD等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)是專門為特殊應(yīng)用領(lǐng)域的科學(xué)研究與工業(yè)開發(fā)用戶而設(shè)計的單片沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)電氣*符合CE標(biāo)準(zhǔn)；該系統(tǒng)擴(kuò)展了普通原子層沉積系統(tǒng)對前驅(qū)體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度，廣泛應(yīng)用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。

PE型原子層沉積鍍膜設(shè)備產(chǎn)品信息

一、設(shè)備概述：

此系統(tǒng)包含用于原子層沉積的3路前驅(qū)體源、4通道質(zhì)量流量計控制系統(tǒng)、各部件加熱器系統(tǒng)、精密控溫樣品臺系統(tǒng)等。該管式爐系統(tǒng)為熱壁反應(yīng)室工藝，它的主要優(yōu)勢是在反應(yīng)室側(cè)壁上所淀積的也都是高品質(zhì)的ALD薄膜，熱壁反應(yīng)室設(shè)備往往能阻止薄膜的早期剝離，由于從加熱的側(cè)壁脫附的反應(yīng)源流量較高，從而加速了對反應(yīng)空間的清潔。

此套設(shè)備可作為單獨(dú)的CVD、PECVD、ALD、PEALD使用。搭建等離子增強(qiáng)原子層沉+化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PE-ALD-CVD），用于生長各類材料。

二、技術(shù)指標(biāo)：

1. 控制閥門動作等整套系統(tǒng)采用PLC觸摸屏控制；

2. 基片加熱溫度：室溫～1000℃，升溫速率10℃/min，控制精度±1℃，可自動左右移動實現(xiàn)快速升降溫，移動速度可調(diào)實現(xiàn)階梯鍍膜。

3. 前驅(qū)體輸運(yùn)系統(tǒng)：標(biāo)準(zhǔn)3路前驅(qū)體管路，可選配；

4. 前驅(qū)體預(yù)熱溫度：室溫～1000℃，控制精度±1℃；

5. 源瓶/氣體管道加熱溫度：室溫～200℃，控制精度±1℃；

6. ALD閥Swagelok快速高溫ALD閥（小可在10ms完成閥門的開啟或關(guān)閉）；

7. 管內(nèi)真空＜10Pa，可自動平衡管內(nèi)真空度；

8. 載氣系統(tǒng)N2或者Ar；

9. 生長模式：高速沉積模式和停留生長模式；

10. 等離子體源：300W；