一、設(shè)備概述:
      T-ALD原子層沉積系統(tǒng)是專門為科研和工業(yè)小型化量產(chǎn)用戶而設(shè)計的多片沉積系統(tǒng)。該系統(tǒng)電氣*符合CE標準，廣泛應(yīng)用于微電子、納米材料、光學薄膜、太陽能電池等領(lǐng)域。

二、產(chǎn)品優(yōu)勢:

       *的軟件控制系統(tǒng)：系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設(shè)置、權(quán)限設(shè)定、互鎖報警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體。

三、技術(shù)指標:

   基片尺寸 12英寸及以下尺寸
    基片加熱溫度 室溫~300℃
   前驅(qū)體源路數(shù) 標準3路前驅(qū)體管路，可選配
   前驅(qū)體管路溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃
   源瓶加熱溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃
   ALD閥 Swagelok快速高溫ALD閥
   本底真空 <5x10^-3Torr，進口防腐泵
   載氣系統(tǒng) N₂或者Ar
   長模式 連續(xù)和停留沉積模式任意選擇
   控制系統(tǒng) PLC+觸摸屏或者顯示器
   電源 50-60Hz，220V/20A交流電源
   沉積非均勻性 非均勻性<±1%
   設(shè)備尺寸 600mm x 600mm x 1100mm

四、可沉積薄膜種類:

       單 質(zhì)：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
   氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
   氧化物：TiO₂, HfO₂, SiO₂, ZnO, ZrO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SnO₂…
   其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO₃,SrTaO₆…

五、ALD應(yīng)用實例:

     存儲容性電介質(zhì)，銅互連中高深寬比擴散阻擋層，OLED無針孔鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜，特種光纖摻雜，太陽能電池，平板顯示器，光學薄膜，其它各類特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜。