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MOS雪崩能量測(cè)試服務(wù)-第三方檢測(cè)中心

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參考價(jià):99

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產(chǎn)品型號(hào)
長(zhǎng)禾CNAS
品牌
其他品牌
廠商性質(zhì)
生產(chǎn)商
所在地
西安市

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更新時(shí)間：2025-03-13 15:38:37瀏覽次數(shù)：18次

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  雪崩

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西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：23條

所在地區(qū)：陜西西安市

聯(lián)系人：白曉輝（銷(xiāo)售）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

加工定制	是

MOS雪崩能量測(cè)試服務(wù)-第三方檢測(cè)中心
功率器件參數(shù)驗(yàn)證與二次篩選測(cè)試：保障器件性能穩(wěn)定，助力客戶優(yōu)化供應(yīng)鏈質(zhì)量控制。
車(chē)規(guī)級(jí)元器件檢測(cè)：針對(duì)新能源汽車(chē)領(lǐng)域，提供符合嚴(yán)苛車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的功率器件篩選與可靠性驗(yàn)證，助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)瓶頸。
環(huán)境與老化實(shí)驗(yàn)：模擬特殊環(huán)境下器件工作狀態(tài)，確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況中長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
失效分析及可靠性評(píng)估：快速精準(zhǔn)定位元器件失效根因，為產(chǎn)品改進(jìn)和技術(shù)迭代提供有力支撐

詳細(xì)介紹

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西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室"），位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市，專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證。作為國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)（CNAS）正式認(rèn)證的大功率器件測(cè)試服務(wù)中心，長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，致力于為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式專(zhuān)業(yè)測(cè)試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室配備功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備和自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái)，全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。憑借技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)少數(shù)具備全鏈條功率器件測(cè)試、篩選及老化服務(wù)的機(jī)構(gòu)之一。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電（風(fēng)電、光伏）、新能源汽車(chē)。

雪崩耐量測(cè)試（UIS）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V，檢測(cè) 電流：200A

試驗(yàn)參數(shù)：雪崩能量EAS

正向浪涌電流測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE（Si/SiC）、整流橋、SCR、IGBT；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。

試驗(yàn)參數(shù)：浪涌電流IFSM/ITSM、i2t

雷擊浪涌 8/20us,10/1000us

介電性測(cè)試