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H3TRB功率老化測(cè)試服務(wù)

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參考價(jià):99

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產(chǎn)品型號(hào)
長(zhǎng)禾CNAS
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其他品牌
廠商性質(zhì)
生產(chǎn)商
所在地
西安市

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更新時(shí)間：2025-03-13 15:15:37瀏覽次數(shù)：30次

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西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：23條

所在地區(qū)：陜西西安市

聯(lián)系人：白曉輝（銷售）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

加工定制	是

H3TRB功率老化測(cè)試服務(wù)
功率器件參數(shù)驗(yàn)證與二次篩選測(cè)試：保障器件性能穩(wěn)定，助力客戶優(yōu)化供應(yīng)鏈質(zhì)量控制。
車規(guī)級(jí)元器件檢測(cè)：針對(duì)新能源汽車領(lǐng)域，提供符合嚴(yán)苛車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的功率器件篩選與可靠性驗(yàn)證，助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)瓶頸。
環(huán)境與老化實(shí)驗(yàn)：模擬特殊環(huán)境下器件工作狀態(tài)，確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況中長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
失效分析及可靠性評(píng)估：快速精準(zhǔn)定位元器件失效根因，為產(chǎn)品改進(jìn)和技術(shù)迭代提供有力支撐。

詳細(xì)介紹

H3TRB功率老化測(cè)試服務(wù)-第三方檢測(cè)中心

西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室"），位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市，專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證。

作為國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)（CNAS）正式認(rèn)證的大功率器件測(cè)試服務(wù)中心，長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，致力于為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式專業(yè)測(cè)試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室配備功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備和自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái)，全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。憑借技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)少數(shù)具備全鏈條功率器件測(cè)試、篩選及老化服務(wù)的機(jī)構(gòu)之一。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電（風(fēng)電、光伏）、新能源汽車、國(guó)防、工業(yè)控制、科研機(jī)構(gòu)等多個(gè)領(lǐng)域，為中國(guó)核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。

完善的基礎(chǔ)設(shè)施和優(yōu)秀團(tuán)隊(duì)一直是實(shí)驗(yàn)室強(qiáng)化的重點(diǎn)，實(shí)驗(yàn)室核心團(tuán)隊(duì)研究生占比70%以上，具備深厚的學(xué)術(shù)背景和豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。在質(zhì)量控制方面，實(shí)驗(yàn)室建立了完善的質(zhì)量管理體系，嚴(yán)格執(zhí)行實(shí)驗(yàn)室管理標(biāo)準(zhǔn)。每個(gè)測(cè)試項(xiàng)目均建立了詳細(xì)的作業(yè)指導(dǎo)書(shū)，確保測(cè)試過(guò)程的標(biāo)準(zhǔn)化和可追溯性，數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性。

長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室秉持“嚴(yán)謹(jǐn)求實(shí)、精益求精"的企業(yè)精神，致力于推動(dòng)中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高質(zhì)量發(fā)展，助力打造具備競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。未來(lái)，長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室將繼續(xù)發(fā)揮技術(shù)和資源優(yōu)勢(shì)，立足西安，努力成長(zhǎng)為優(yōu)秀功率半導(dǎo)體測(cè)試與驗(yàn)證服務(wù)平臺(tái)，助力中國(guó)“芯"騰飛！

高溫反偏試驗(yàn)（HTRB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟? 150℃；電壓 5000V；

高溫柵偏試驗(yàn)（HTGB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟? 150℃；電壓 100V；

高溫高濕反偏試驗(yàn)（H3TRB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。