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Reactive Ion Etcher (RIE)反應(yīng)式離子刻蝕機(jī)/ICP感應(yīng)耦合反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

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一體型機(jī)臺(tái)，結(jié)構(gòu)緊湊，整機(jī)占地空間900mm*1100mm~800mm*1560mm

詳細(xì)介紹

一體型機(jī)臺(tái)，結(jié)構(gòu)緊湊，整機(jī)占地空間900mm*1100mm ~ 800mm*1560mm；

基于工控機(jī)的控制方案，自主開發(fā)的全自動(dòng)控制系統(tǒng)，可高度定制化；

特點(diǎn):

● 一體型機(jī)臺(tái)，結(jié)構(gòu)緊湊，整機(jī)占地空間900mm*1100mm ~ 800mm*1560mm；
● 基于工控機(jī)的控制方案，自主開發(fā)的全自動(dòng)控制系統(tǒng)，可高度定制化；
● 機(jī)臺(tái)配置靈活，可作為專用刻蝕機(jī)臺(tái)也可以用于多用途刻蝕機(jī)臺(tái)；
● 模塊化設(shè)計(jì)，維護(hù)與升級(jí)極其方便；
● 工藝性能*穩(wěn)定。

主要技術(shù)性能指標(biāo):

● 樣片尺寸：2英寸及以下小尺寸碎片和非晶圓樣品、4英寸晶圓、4~6英寸晶圓、8英寸晶圓（可定制12英寸）；
● BRF功率源: 300W/500W可調(diào)，13.56MHZ；500W/1,000W可調(diào)，13.56MHZ；1,000W/2,000W可調(diào)，13.56 & 27MHZ；
● 氣體種類: RIE: O2,Ar,CF4,SF6,CHF3（標(biāo)配三路氣體）；ICP:H2,CH4,O2,N2,Ar,SF6,CF4,CHF3,C4F8,NF3,NH3,C2F6等；
● 氣體流量控制：MFC；
● 樣片控溫: RIE 10℃~室溫，ICP控溫精度±1℃; -30°C~100°C/200/°C定制；
● 控制系統(tǒng)：工控機(jī)，板卡結(jié)構(gòu)；全自動(dòng)（可定制）；
● 交互界面：觸摸屏；
● 蝕刻材料：RIE: 硅、二氧化硅、石英、氮化硅、有機(jī)材料；ICP:硅基材料、金屬材料、有機(jī)材料、三五族和二六族化合物、陶瓷材料等。

主要應(yīng)用：

● 芯片失效分析去層蝕刻（RIE/ICP）；
● 光電子三五族材料蝕刻(ICP)；
● 深硅蝕刻和圖形加工(ICP)；
● 光刻膠等有機(jī)物殘留去除(ICP)。

型號(hào)：SHL FA100P-RIE/ SHL FA150E-RIE/ SHL200-ICP/ SHL200S-ICP/ SHL200C-ICP/ SHL200D-ICP

關(guān)鍵詞：工控機(jī) 刻蝕機(jī) 芯片

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