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光譜橢偏儀

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更新時間:2022-11-12 16:11:04瀏覽次數(shù):346次

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商鋪產(chǎn)品:5條

所在地區(qū):

產(chǎn)品簡介

光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約1至2nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時,深紫外光譜橢偏儀也是的??梢娀蚪t外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當然,如果必須確定光學常數(shù),則應(yīng)將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置,如波長分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應(yīng)用進行考慮。光譜橢偏儀特征:?基于Wi......

詳細介紹

光譜橢偏儀可配置從DUVNIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約12nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時,深紫外光譜橢偏儀也是的??梢娀蚪t外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當然,如果必須確定光學常數(shù),則應(yīng)將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置,如波長分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應(yīng)用進行考慮。



光譜橢偏儀特征:

?基于Window軟件,易于操作;

?的光學設(shè)計,實現(xiàn)系統(tǒng)性能;

?高功率DUV-VIS-NIR光源,適用于寬帶應(yīng)用;

?基于陣列的探測器系統(tǒng),確??焖贉y量;

?用戶可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層;

?能夠用于實時或在線厚度,折射率監(jiān)測;

?系統(tǒng)配有全面的光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫;

?高級TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對每個膠片使用NK表,色散或有效介質(zhì)近似(EMA);

?三種不同的用戶級別控制:工程師模式,系統(tǒng)服務(wù)模式和簡易用戶模式;

?靈活的工程模式,適用于各種配方設(shè)置和光學模型測試;

?強大的一鍵式按鈕解決方案,用于快速和常規(guī)測量;

?可按照用戶偏好配置測量參數(shù),操作簡便;

?系統(tǒng)全自動校準和初始化;

?直接從樣品信號獲得精確的樣品對齊接口,無需外部光學元件;

?精確的高度和傾斜程度調(diào)整;

?適用于許多不同類型的不同厚度的基材;

?各種選項,附件可用于特殊配置,如繪圖階段,波長擴展,焦點等;

?2D3D輸出圖形以及用戶數(shù)據(jù)管理界面;



光譜橢偏儀應(yīng)用:

?半導體制造(PR,氧化物,氮化物......

?液晶顯示器(ITO,PRCell gap ......

?法醫(yī)學,生物學材料

?油墨,礦物學,顏料,調(diào)色劑

?制藥,科研

?光學涂層,TiO2,SiO2,Ta2O5 ......

?半導體化合物

?MEMS / MOEMS中的功能薄膜

?無定形,納米和硅晶圓

?太陽能電池薄膜,CdTe,CdS,CIGS,AZO,CZTS ....



光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù):


型號

SE200

(DUV-Vis)


SE300

(Vis)


SE450

(Vis-Nir)


SE500

(DUV-Vis-Nir)


探測器類型

CCDCMOS陣列

CCDCMOS陣列

CCDCMOSInGaAs陣列

CCDCMOSInGaAs陣列

波長范圍(nm

1901100

3701100

370-1700

190-1700

波長點

測量波長范圍和波長數(shù)據(jù)點均在用戶配方中自定義(數(shù)據(jù)點僅受分辨率限制)

波長分辨率

0.01 -3nm

0.01 -3nm

0.013nm

0.013nm

數(shù)據(jù)采集時間

100毫秒到10秒,用戶自定義

入射角范圍

2090

入射角分辨率

帶手動測角儀的5度預設(shè)步驟,用于SExxx-BM配置;

程序控制0.001度分辨率,配有自動測角儀,適用于SExxx-BA配置

偏光光學

旋轉(zhuǎn)偏振器,分析器和/或補償器的組合

光束尺寸

準直光束,光束尺寸可在15mm范圍內(nèi)調(diào)節(jié)光圈; 可選的聚焦光束模式(可拆卸)可用于減小光斑尺寸

光源

D2 + TH/

TH

TH

D2 + TH/

燈泡壽命

4000小時

10000小時

10000小時

4000小時

可測量的厚度范圍

高達30μm

20nm50μm

20nm50μm

高達50μm

厚度精度

<1?0.1

索引精度

優(yōu)于0.0001

厚度準確度

優(yōu)于0.25


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