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自動Mapping面掃功能
Mapping面掃臺允許使用受控的網(wǎng)格模式來探索整個樣品表面。Omega/Theta XRD可以很容易地在轉盤頂部容納額外的XY定位平臺。樣品表面可以根據(jù)用戶定義的網(wǎng)格進行掃描。由于樣品上X射線光斑的大小，小的網(wǎng)格間距約為1毫米。
繪圖階段可以與Omega掃描結合起來，以獲得晶體方向圖，或與搖擺曲線測量結合起來，以獲得表面的扭曲圖。可提供用于顯示和分析的軟件包。
晶體的Mapping面掃功能是診斷晶體生長過程中和制造過程中出現(xiàn)的質(zhì)量問題的一個寶貴工具
即使在單晶中，晶體取向也可以在表面上表現(xiàn)出微小的變化，這是由晶格缺陷引起的內(nèi)部應變造成的。有序生長的薄膜也可以有一個有趣的面內(nèi)取向分布。
繪制一個表面需要大量的測量。在這里，歐米茄掃描方法可以提供其速度方面的優(yōu)勢。圖中顯示的是在一個（Si，Ge）固溶體晶片上測量的取向圖。較大的方向差是0.03°。同心圓是按照晶體的生長環(huán)進行的。
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