用51Cr鉻酸鈉標(biāo)記靶細(xì)胞

時(shí)間：2016/11/7閱讀：1190

一、用51Cr鉻酸鈉標(biāo)記靶細(xì)胞
短期標(biāo)記法
1．用RPMI-1640培養(yǎng)液洗滌107靶細(xì)胞，去上清液。用0.5ml不含的*培養(yǎng)液懸浮細(xì)胞。加入100μCi（3.7MBq）51Cr鉻酸鈉，37℃水浴中標(biāo)記1小時(shí)，每5～10分鐘搖晃一次，混勻細(xì)胞。
2．如上用RPMI-1640培養(yǎng)液洗滌細(xì)胞3次，每次400×g 10分鐘。用50ml RPMI-1640培養(yǎng)液懸浮細(xì)胞，置37℃水浴30分鐘，以減少非特異的自然釋放。
3．離心200×g 10分鐘，去上清液。小心用RPMI-1640培養(yǎng)液懸浮細(xì)胞，盡量減少振蕩引起的細(xì)胞損傷以降低靶細(xì)胞的自然釋放率，將細(xì)胞濃度調(diào)整為0.5×105或1×105/ml備用。

二、4小時(shí)51Cr釋放實(shí)驗(yàn)
1．在96孔圓底細(xì)胞培養(yǎng)板中加入51Cr標(biāo)記的靶細(xì)胞，每孔加100μl。
2．向各孔加100μl效應(yīng)細(xì)胞，效應(yīng)細(xì)胞與靶細(xì)胞的比例（效靶比，E：T）根據(jù)要求而定，通常為5：1～20：1。陰性對(duì)照孔（自然釋放）不加效應(yīng)細(xì)胞只加100μl*培養(yǎng)液，陽(yáng)性對(duì)照孔（zui大釋放）中加100μ1％NP40（或2％SDS，1mol/L鹽酸）。每個(gè)實(shí)驗(yàn)置三個(gè)復(fù)孔。
3．稍稍離心（100×g 3分鐘）后，置37℃ 5％ CO2的二氧化碳培養(yǎng)箱中培養(yǎng)4小時(shí)。
4．離心培養(yǎng)板200×g 10分鐘，每孔吸出100μl上清液置一次性使用的檢測(cè)管中，在γ－計(jì)數(shù)儀上（或液閃計(jì)數(shù)儀上）測(cè)定上清液中的每分鐘放射性活性（cpm值）。

3）特異性殺傷活性的計(jì)算
1．用細(xì)胞毒性百分比表示：細(xì)胞毒性（％）＝

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