磁敏晶體管檢測(cè)機(jī)構(gòu)，無損檢測(cè)

磁敏晶體管是在磁敏二極管的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的長(zhǎng)基區(qū)晶體管。原理 按照磁敏晶體管的基區(qū)中載流子輸運(yùn)情況，基區(qū)可分成兩部分，即從發(fā)射結(jié)注入的載流子輸運(yùn)到集電極的輸運(yùn)基區(qū)部分和注入載流子被復(fù)合的復(fù)合基區(qū)部分。

磁敏晶體管檢測(cè)項(xiàng)目

失效分析、無損檢測(cè)、磁性檢測(cè)、耐壓檢測(cè)、放大倍數(shù)檢測(cè)、引腳拉力檢測(cè)、特性曲線檢測(cè)、X射線檢測(cè)、可靠性測(cè)試、容錯(cuò)測(cè)試、功能測(cè)試、磁場(chǎng)測(cè)量、磁性儲(chǔ)存、磁性導(dǎo)航、差分電流檢測(cè)、伏安特性檢測(cè)、載流子遷移率檢測(cè)等。

磁敏晶體管檢測(cè)范圍

霍爾元件、磁敏電阻、磁敏晶體管、磁敏二極管和磁敏晶體管等。

磁敏晶體管檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

SJ 20789-2000 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管熱敏參數(shù)快速篩選試驗(yàn)方法

UNE-EN 120003:1992 BDS：光電晶體管、光電卡林頓晶體管、光電晶體管陣列

SIS SS CECC 20003-1988 空白詳細(xì)規(guī)范：光電晶體管；光電晶體管達(dá)林頓電路晶體管；光電晶體管陣列

SJ 50033.40-1994 GT11型半導(dǎo)體硅NPN光敏晶體管詳細(xì)規(guī)范

SJ/T 10415-1993 晶體管熱敏參數(shù)快速篩選試驗(yàn)方法

GJB 33/16-2011 半導(dǎo)體光電子器件 3DU32型半導(dǎo)體光敏晶體管詳細(xì)規(guī)范

BS EN IEC 60122-4:2019 經(jīng)評(píng)估質(zhì)量的石英晶體元件 帶熱敏電阻的晶體元件

檢測(cè)費(fèi)用說明

檢測(cè)費(fèi)用會(huì)根據(jù)項(xiàng)目的數(shù)量和復(fù)雜程度而定。項(xiàng)目越多、越復(fù)雜，費(fèi)用越高，不同的檢測(cè)方法需要不同的設(shè)備和技術(shù)支持，這也會(huì)影響到總費(fèi)用哦，具體可和工程師直接溝通。

磁敏晶體管檢測(cè)機(jī)構(gòu)，無損檢測(cè)