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多晶硅檢測機構(gòu),質(zhì)量檢測,老化測試

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更新時間:2024-06-18 15:36:52瀏覽次數(shù):472次

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王工

經(jīng)理
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檢測周期 一般7個工作日左右(可加急) 檢測資質(zhì) CMA、CNAS
檢測費用 面議 檢測范圍 全國
多晶硅檢測機構(gòu),質(zhì)量檢測,老化測試

多晶硅是一種高純度的硅材料,具有半導(dǎo)體性質(zhì),是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。它是單質(zhì)硅的一種形態(tài),熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。

多晶硅檢測機構(gòu),質(zhì)量檢測,老化測試


多晶硅是一種高純度的硅材料,具有半導(dǎo)體性質(zhì),是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。它是單質(zhì)硅的一種形態(tài),熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。


多晶硅檢測機構(gòu),質(zhì)量檢測,老化測試


檢測范圍有哪些?


多晶硅太陽能板、低溫多晶硅、多晶硅組件、電子級多晶硅、多晶硅料、多晶硅電池、光伏多晶硅、多晶硅鑄錠等。


檢測項目有哪些?


成分分析、成分檢測、成分鑒定、性能檢測、質(zhì)量檢測、電阻率檢測、腐蝕檢測、老化檢測等。


多晶硅檢測方法


1.非接觸式表面檢測法:該方法基于多晶硅表面反射光線的強弱,來測量其表面的質(zhì)量和表面缺陷情況。通過光電傳感器和圖像處理軟件,對多晶硅表面特征的形狀和分布進行分析,從而檢測出多晶硅表面缺陷的位置和尺寸。


2.電感式檢測法:該方法通過電感耦合技術(shù),使用交流電場對多晶硅進行檢測。電感式檢測法能夠較快地檢測出多晶硅中存在的缺陷和雜質(zhì),但其檢測靈敏度受到多種因素的影響,需要在使用時進行合理的調(diào)整。


3.超聲波檢測法:該方法利用多晶硅中缺陷引起的超聲波波動,對多晶硅進行檢測和分析。超聲波檢測法具有優(yōu)異的檢測能力和分析精度,能夠有效地檢測出細微的缺陷和雜質(zhì)。


4.顯微鏡檢測法:該方法借助顯微鏡的高分辨率,觀察多晶硅內(nèi)部和表面的形貌和缺陷情況。顯微鏡檢測法能夠直觀地觀察多晶硅中存在的缺陷和雜質(zhì),但其覆蓋范圍較小,需要結(jié)合其他檢測方法進行綜合分析。


檢測標準有哪些?


GB/T 24579-2009酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物


GB/T 29057-2012用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程


GB 29447-2012多晶硅企業(yè)單位產(chǎn)品能源消耗限額


GB/T 32573-2016硅粉總碳含量的測定感應(yīng)爐內(nèi)燃燒后紅外吸收


GB/T 32652-2016多晶硅鑄錠石英坩堝用熔融石英料


GB/T 33236-2016多晶硅 痕量元素化學(xué)分析


GB/T 37049-2018電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定


GB/T 37051-2018太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定


GB/T 24582-2009酸浸取 電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)


GB/T 25074-2017太陽能級多晶硅


GB/T 28654-2018工業(yè)三氯氫硅


GB/T 29054-2012太陽能級鑄造多晶硅塊


GB/T 29055-2012太陽電池用多晶硅片


JC/T 2067-2011太陽能多晶硅用熔融石英陶瓷坩堝


JC/T 2349-2015多晶硅生產(chǎn)用氮化硅陶瓷絕緣體


服務(wù)范圍和優(yōu)勢有哪些?


1、為公司企業(yè)、高等院校、科研單位、事業(yè)單位、醫(yī)院、律師事務(wù)所以及個人客戶等提供專業(yè)技術(shù)服務(wù)。


2、具備專業(yè)的CMA/CNAS資質(zhì)認證,檢測資質(zhì)齊全,為客戶提供專業(yè)的咨詢與服務(wù)。


3、實驗室儀器設(shè)備種類齊全,保證測試數(shù)據(jù)準確可靠;


4、擁有強大的檢測專家團隊,全國各地多家分支機構(gòu);


5、在線一對一服務(wù)流程,根據(jù)客戶需求制定特色檢測方案和解決辦法;


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