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EMG 高頻光源發(fā)射器 LLS 1275/01 LICHTBAND

高頻發(fā)生器（radioffequency generator）又稱(chēng)射頻發(fā)生器。電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜/質(zhì)譜等分析中用來(lái)產(chǎn)生等離子體炬的裝置。它產(chǎn)生的高頻電流輸給電感線圈，以激勵(lì)石英炬管（置于線圈中）內(nèi)的氬氣，形成等離子體焰炬。

分自激式和他激式（晶控型）振蕩器兩種類(lèi)型。振蕩頻率在3～50MHz，常為27.12MHz和40.68MHz，輸出功率在0.7～7kW，常用為1.0～2.0kW。

ICP應(yīng)用的高頻發(fā)生器有自激式和他激式（晶控式）兩種基本類(lèi)型。自激式是由一個(gè)發(fā)射管同時(shí)完成振蕩、激勵(lì)和功率放大等功能，他激式則是振蕩與激勵(lì)和功率放大等分開(kāi)。自激式的優(yōu)點(diǎn)是電路簡(jiǎn)單、調(diào)試容易，當(dāng)振蕩電路參數(shù)變化引起頻率遷移時(shí)，有自動(dòng)補(bǔ)償作用，對(duì)功率輸出影響較小且造價(jià)較低，缺點(diǎn)是功率轉(zhuǎn)換效率低，振蕩頻率穩(wěn)定度不高（一般在5%～20%范圍內(nèi)）。他激式的主要優(yōu)點(diǎn)是振蕩頻率穩(wěn)定（頻率變化一般低于10-4），功率穩(wěn)定（變化小于1%），功率轉(zhuǎn)換效率高，抗干擾能力強(qiáng)，可直讀功率，此外由于采用了高頻電纜，容易將ICP形成裝置與發(fā)生器主體分開(kāi)放置，給光源與各種攝譜儀空間位置的配合也提供了方便缺點(diǎn)是線路復(fù)雜，造價(jià)高。

作為ICP光源，高頻發(fā)生器的主要指標(biāo)有四項(xiàng)：工作頻率、頻率穩(wěn)定度、輸出功率和功率穩(wěn)定度。

商品ICP儀器多采用較高的頻率（27～50MHz）和較低的功率（1～2.5kW），而Greenfield等提倡采用大功率和較低頻率的發(fā)生器，他們認(rèn)為這種條件的優(yōu)點(diǎn)是有較高的檢出能力和精密度，而且能消除帶狀光譜的干擾和化學(xué)干擾。

已知趨膚深度S =（1/πσμf）1/2，式中σ是電導(dǎo)率、μ是磁導(dǎo)率、f是高頻電流的頻率，可見(jiàn)頻率的變化直接影響到趨膚深度，亦即影響ICP通道的穩(wěn)定性。因此，要求頻率穩(wěn)定度越高越好。

功率大小直接影響到ICP火焰的溫度，所以要求功率穩(wěn)定度較高，要求長(zhǎng)時(shí)間工作無(wú)功率漂移，一般要求功率穩(wěn)定度最好優(yōu)于0.1%。

此外對(duì)高頻防護(hù)有一定的要求，勞動(dòng)部暫定安全標(biāo)準(zhǔn)，要求高頻電場(chǎng)強(qiáng)度應(yīng)小于20V·m-1，高頻磁場(chǎng)強(qiáng)度應(yīng)小于

高頻光源發(fā)射器 LLS 1275/01

LLS 1075/03/25 LICHTBAND

高頻光源發(fā)射器 LIC480/11

線性光源發(fā)射器IMP500.02S

CPC光源 LLS 675/11 Lichtband 24VDC

EVK2.11.3對(duì)中控制板

EMG模塊SPCC2-2

EVK2.11.2 信號(hào)處理板

EMG 制動(dòng)器ED 301/6

EVK 2-CP/600.71/L/R 伺服閥IP54

EVK 2.12 EMG測(cè)量電路板糾偏放大板

電路處理板 EVK2.17

EMG 制動(dòng)器 ED800-60

ED 23/5 電力液壓推動(dòng)器 EMG

ED 50/6 電力液壓推動(dòng)器 EMG

ED 30/5 電力液壓推動(dòng)器 EMG

EMG位移傳感器 LWH 300 SI6C

EMG 光電式測(cè)量傳感器 EVK 2-CP/600.71/L/R

LLS1075/01 線性光源發(fā)射器

SV1-10\48\315\6糾偏伺服閥

CPC光源發(fā)生器LLS1075.01,24V 測(cè)量范圍:1;規(guī)格:24V

IGS1/40/120/50/01 叉形電感式傳感器

EMG 糾偏系統(tǒng) 高精度電感式CPC:SR-CPC-SMI-HE框架:SMI-HE/500/2100/1500/200

EMG控制器type:iCON SE 02.0 program:7101 帶DP通訊

SMI1.05傳感器

VKI3-10.1傳感器

MCU16.1 處理器

EMG控制器type:iCON XE 02.0 program:6101 帶DP通訊

EMG 高頻光源發(fā)射器 LLS 1275/01 LICHTBAND

EMG 高頻光源發(fā)射器 LLS 1275/01 LICHTBAND

分類(lèi)

1．高頻發(fā)生器的一般構(gòu)造：高頻發(fā)生器為一電能轉(zhuǎn)換器，將市用電轉(zhuǎn)換成高頻電，并有必要的功率輸出和特定的輸出波型。按其構(gòu)造，可分為三種類(lèi)型：

（1）間隙火花震蕩器：由間隙放電器、電感及電容組成回路，可產(chǎn)生震蕩。用不同的電容和電感，可產(chǎn)生不同的頻率和波型。裝置較簡(jiǎn)單，但頻率不穩(wěn)、體積較大，現(xiàn)已少用。

（2）電子管震蕩發(fā)生器：由電子管及電感電容組成回路，產(chǎn)生高頻震蕩。頻率穩(wěn)定，但體積大、頻率低，有一定壽命。

（3）晶體管震蕩發(fā)生器：頻率穩(wěn)定，體積小，重量輕，使用壽命長(zhǎng)，效率高，是目前較理想的一種高頻發(fā)生器 [2]。

2．按照激發(fā)形式，高頻發(fā)生器主要有兩類(lèi)：

（1）“自激"式發(fā)生器（電子管自激振蕩）。它能使振蕩電流的頻率隨等離子體阻抗的變化而變化。自激式振蕩器線路簡(jiǎn)單，振蕩、激勵(lì)、功率放大都由一個(gè)電子管同時(shí)完成，易與負(fù)載阻抗相匹配，易于點(diǎn)燃等離子體，但頻率穩(wěn)定度稍差。

（2）“它激"式石英穩(wěn)頻發(fā)生器（晶體控制振蕩）。它是利用壓電晶體的振蕩來(lái)調(diào)節(jié)電流頻率，從而保持頻率的恒定。這種發(fā)生器的主要優(yōu)點(diǎn)是振蕩頻率恒定，功率穩(wěn)定，轉(zhuǎn)換效率高，抗干擾能力較強(qiáng)。其結(jié)構(gòu)比“自激"式發(fā)生器復(fù)雜，但在ICP商品儀器中的應(yīng)用比自激式振蕩器廣泛。

他激式振蕩器由晶體振蕩、倍頻、激勵(lì)、功率放大等部分組成，頻率穩(wěn)定性高，但對(duì)輸出阻抗的匹配要求較嚴(yán)，一般還配備阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)和穩(wěn)定輸出功率的定向耦合器等。一般要求高頻發(fā)生器具有穩(wěn)定的功率輸出，對(duì)測(cè)量系統(tǒng)無(wú)電學(xué)干擾、功率轉(zhuǎn)換效率高以及頻率盡可能穩(wěn)定等

作用及要求

ICP系統(tǒng)中的高頻發(fā)生器的作用是向感應(yīng)螺管提供高頻電流。在高頻發(fā)生器的螺管中產(chǎn)生的高頻電流為ICP的工作提供了的振蕩磁場(chǎng)。等離子炬的能量來(lái)源于高頻發(fā)生器。當(dāng)?shù)入x子體引燃后，負(fù)載線圈與等離子體組成類(lèi)同一個(gè)變壓器，負(fù)載線圈是這個(gè)變壓器的初級(jí)線圈，而等離子休相當(dāng)于一匝次級(jí)線圈：高頻功率便通過(guò)負(fù)載線圈耦合到等離子體中去，使等離子體焰炬維持不滅。高頻發(fā)生器的輸出功率主要消耗在負(fù)載線圈發(fā)熱、等離子體焰炬（入射功率）和部分地反射回來(lái)（反射功率）。

在輸入一定范圍的電源電壓后，高頻發(fā)生器產(chǎn)生2.65MHZ高頻恒電壓送給功率耦合器，由功率耦合器在玻殼的放電空間內(nèi)建立靜電強(qiáng)磁場(chǎng)，對(duì)放電空間內(nèi)的大氣進(jìn)行電離，并生產(chǎn)強(qiáng)紫外光，玻璃泡殼內(nèi)壁的三基色熒光粉受強(qiáng)紫外光激勵(lì)發(fā)光。在電源設(shè)計(jì)上，由于采用APFC電源控制技術(shù)和采用IC技術(shù)，一方面使得電源的功率因數(shù)高達(dá)0.95以上；另一方面使得高頻發(fā)生器始終以高頻恒電壓點(diǎn)燈。所以，輸入的電源電壓在一定范圍內(nèi)波動(dòng)時(shí)，其發(fā)光亮度均不變。

對(duì)高頻發(fā)生器的要求主要有：

1.高頻發(fā)牛器的振蕩頻率一般為27.12MHz或40.68MHz，輸出功率一般為1～1.5kW。

2.反射功率越小越好，一般要求小于10W。

3.要求高頻發(fā)生器的輸出功率的穩(wěn)定性，因?yàn)檩斔偷絀CP的功率只要有0.1%的漂移，發(fā)射強(qiáng)度就能產(chǎn)生超過(guò)1%的變化。因此，高頻發(fā)生器的功率變化必須小于±0.05%。

4.高頻發(fā)生器應(yīng)有良好的接地裝置，其接地電阻越小越好，一般以不超過(guò)4 Ω為宜

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