陜西博微電通科技有限責(zé)任公司
會(huì)員1.png)
詳細(xì)摘要： BW-IFSM/ITSM（方波 100μm-10ms/＜1000A,正弦波 100μm-10ms/＞3000A）可加熱是SIC相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-ITSM所在地：西安市更新時(shí)間：2025-03-11 在線留言
詳細(xì)摘要： BW-4022C半導(dǎo)體光耦/晶振/壓敏綜合測(cè)試系統(tǒng)是針對(duì)于半導(dǎo)體器件開發(fā)專用測(cè)試的系統(tǒng)，經(jīng)我公司產(chǎn)品升級(jí)與開發(fā)，可以對(duì)二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-4022C所在地：西安市更新時(shí)間：2025-03-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 可用于各類二極管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌電流（IFSM）試驗(yàn)，包括三極管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的內(nèi)置二極管的浪涌...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-UIS-3500所在地：西安市更新時(shí)間：2024-06-21 在線留言
詳細(xì)摘要： BW-TRL2000車規(guī)級(jí)功率器件熱循環(huán)負(fù)載試驗(yàn)臺(tái)是一種二極管熱循環(huán)負(fù)載試驗(yàn)系統(tǒng),廣泛應(yīng)用于車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體器件高溫、高濕、高壓、滿載等功率循環(huán)可靠性間歇壽命測(cè)試，...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-TRL2000所在地：西安市更新時(shí)間：2024-03-07 在線留言
詳細(xì)摘要： BW-AH-5520半導(dǎo)體高精度自動(dòng)溫度實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)采用特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，保證待測(cè)元器件區(qū)域溫度高穩(wěn)定度及均勻度。采用雙高精度 RTD 溫度傳感器進(jìn)行精密控溫及過(guò)溫保...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-AH-5520所在地：西安市更新時(shí)間：2024-03-07 在線留言
詳細(xì)摘要： 可用于各類二極管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌電流（IFSM）試驗(yàn)，包括三極管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的內(nèi)置二極管的浪涌...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-IFSM/ITSM所在地：西安市更新時(shí)間：2024-03-06 在線留言
詳細(xì)摘要： 適用于各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET（支持耗盡型產(chǎn)品）、IGBT 單管、IGBT 模塊、IPM 模塊、橋堆等進(jìn)行高溫高濕反偏試驗(yàn)試驗(yàn)線路及試...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-H3TRB-C16所在地：西安市更新時(shí)間：2024-01-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 適用于各種封裝的IGBT、Si/SiC/GaN、MOSFET、BTJ進(jìn)行K系數(shù)測(cè)試、穩(wěn)態(tài)熱阻測(cè)試及功率循環(huán)試驗(yàn)試驗(yàn)線路及試驗(yàn)方法滿足 MIL-STD-750 M...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-IOL-X16M所在地：西安市更新時(shí)間：2023-12-23 在線留言
詳細(xì)摘要： 適用于 SI/SIC/GaN 芯片的各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET、IGBT、IPM、橋堆等半導(dǎo)體器件進(jìn)行 HAST 試驗(yàn)。符合JESD22...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-HAST-H4所在地：西安市更新時(shí)間：2023-12-23 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
環(huán)保在線 設(shè)計(jì)制作，未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ?
請(qǐng)輸入賬號(hào)
請(qǐng)輸入密碼
請(qǐng)輸驗(yàn)證碼
