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3.0–6.7µm，HgCdTe二級(jí)熱電冷卻，光學(xué)浸沒光伏探測(cè)器
PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的二級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具備很好的穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過優(yōu)化，可在6µm時(shí)實(shí)現(xiàn)性能，用高半球GaAs微透鏡來提高探測(cè)能力，反向偏置可顯著增加響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍。3°楔形硒化鋅（wZnSeAR）防反射涂層窗口防止不必要的干擾效應(yīng)。
規(guī)格參數(shù)
| 參數(shù)（Ta = 20°C, Vb = 0 mV） | 探測(cè)器類型 |
| PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36 | |
| 光敏元件材料 | HgCdTe |
| 截止波長(zhǎng) λcut-on (10%), µm | 3.0±1.0 |
| 峰值波長(zhǎng) λpeak, µm | 5.2±0.5 |
| 優(yōu)化波長(zhǎng) λopt, µm | 6 |
| 截止波長(zhǎng) λcut-off (10%), µm | 6.7±0.3 |
| 探測(cè)率 D*(λpeak), cm·Hz1/2/W | ≥7.0×1010 |
| 探測(cè)率 D*(λopt), cm·Hz1/2/W | ≥4.0×1010 |
| 電流響應(yīng)度 Ri(λpeak), A/W | ≥2.7 |
| 電流響應(yīng)度 Ri(λopt), A/W | ≥1.5 |
| 時(shí)間常數(shù) τ, ns | ≤50 |
| 阻抗 R, Ω | ≥200 |
| 芯片工作溫度 Tdet, K | ~230 |
| 光敏面積 Ao, mm×mm | 1×1 |
| 封裝 | TO8 |
| 接收角度 Φ | ~36° |
| 窗片 | wZnSeAR |
光譜響應(yīng)
特征和應(yīng)用領(lǐng)域
特征
?高性能
?動(dòng)態(tài)范圍廣
?多功能性
?快速交付
應(yīng)用程序
?氣體檢測(cè)、監(jiān)測(cè)和分析（CO、CO2、NH3、NOx）
?煙氣脫氮
?發(fā)電廠的燃料燃燒監(jiān)測(cè)，以及其他工業(yè)設(shè)施
?非接觸式溫度測(cè)量
相關(guān)產(chǎn)品
?UM-I-6探測(cè)模塊
