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3李女士
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目錄:廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司>>元器件篩選及失效分析>>電力電子與新能源>> 功率器件失效根因分析,電子器件測(cè)試
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更新時(shí)間：2024-11-06 08:04:05瀏覽次數(shù)：1065評(píng)價(jià)
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李女士
| 服務(wù)區(qū)域 | 全國(guó) | 服務(wù)資質(zhì) | CMA/CNAS |
|---|---|---|---|
| 服務(wù)周期 | 常規(guī)5-7個(gè)工作日 | 服務(wù)費(fèi)用 | 視具體項(xiàng)目而定 |
服務(wù)范圍
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分?器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
l GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)?法和程序
l GJB8897-2017J用電子元器件失效分析要求與?法
l QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
檢測(cè)項(xiàng)目
| 試驗(yàn)類型 | 試驗(yàn)項(xiàng)? |
| ?損分析 | X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡 |
| 電特性/電性定位分析 | 電參數(shù)測(cè)試、IV&CV 曲線量測(cè)、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測(cè)試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗(yàn)證 |
| 破壞性分析 | 開封、去層、切?、芯?級(jí)切片、推拉力測(cè)試 |
| 微觀顯微分析 | DB FIB切?截?分析、FESEM 檢查、EDS微區(qū)元素分析、掃描電鏡、透射電鏡 |
相關(guān)資質(zhì)
CNAS
服務(wù)背景
受益于國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)功率器件廠商迎來(lái)了大的發(fā)展機(jī)會(huì)。在成長(zhǎng)中廠商迫切希望減少或消除產(chǎn)品失效，并在設(shè)計(jì)、?藝和產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、可靠性測(cè)試、封裝等階段進(jìn)?改進(jìn)，以迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。廣電計(jì)量提供功率器件失效根因分析,電子器件測(cè)試服務(wù)。
我們的優(yōu)勢(shì)
廣電計(jì)量功率器件失效根因分析,電子器件測(cè)試擁有業(yè)界專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客?提供完整的失效根因分析服務(wù)，針對(duì)產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、來(lái)料檢驗(yàn)、加?組裝、測(cè)試篩選、客?端使?等各個(gè)環(huán)節(jié)，為客?提供失效分析咨詢、協(xié)助客?開展設(shè)計(jì)規(guī)劃、以及分析測(cè)試服務(wù)。
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