合能陽光少子壽命測試儀(HS-CLT)，是一款功能強大的少子壽命測試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測量。少子測試量程從1μs到20000μs，硅料電阻率下限達0.1Ω.cm(可擴展至0.01Ω.cm)。測試過程全程動態(tài)曲線監(jiān)控，少子壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應表面復合效應等缺陷情況，是原生多晶硅料及半導體及太陽能拉晶企業(yè)少子壽命測量儀器。

產品特點：
■ 測試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
■ 主要應用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進廠、出廠檢查，生產工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。
■ 適用于低阻硅料少子壽命的測量，電阻率測量范圍可達ρ＞0.1Ω?cm（可擴展至0.01Ω?cm），完了微波光電導無法檢測低阻單晶硅的問題。
■ 全程監(jiān)控動態(tài)測試過程，避免了微波光電導（u-PCD）無法觀測晶體硅陷阱效應，表面復合效應缺陷的問題。
■ 貫穿深度大，達500微米，相比微波光電導的30微米的貫穿深度，真正體現了少子的體壽命的測量，避免了表面復合效應的干擾。  
■ 專業(yè)定制樣品架地滿足了原生多晶硅料生產企業(yè)測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
■ 性價比高，價格遠低于國外國外少子壽命測試儀產品，極大程度地降低了企業(yè)的測試成本。

推薦工作條件：
■ 溫度：23±2℃
■ 濕度：60%~70%
■ 無強磁場、不與高頻設備鄰近

技術指標：
■ 測試材料：硅半導體材料 - 硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片等，鍺半導體材料。
■ 少子壽命測試范圍 :1μs-20000μs
■ 可測低阻硅料下限： 0.1Ω.cm
■ 激光波長： 904nm-905nm
■ 激光在單晶硅中的貫穿深度： 30μm
■ 工作頻率： 30MHz
■ 低輸出阻抗，輸出功率＞ 1W
■ 電源：～220V 50Hz 功耗＜50W

典型用戶：
北京，浙江，四川，河北，河南等地的硅料生產企業(yè)及半導體光伏拉晶客戶