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深圳市天禧儀器有限公司
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更新時(shí)間：2023-04-13 16:09:50瀏覽次數(shù)：291次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自 環(huán)保在線用途：場(chǎng)發(fā)射環(huán)境掃描電鏡，配備能譜儀和冷臺(tái)。掃描電鏡和能譜儀，可用于測(cè)試各種材料，如金屬材料、高分子材料、無機(jī)材料（礦物、巖土、甚至含水分材料）等的樣品表面二次電子形貌信息，背散射電子組分區(qū)分，能譜元素成分分析。結(jié)合冷臺(tái)，可通過控制樣品室內(nèi)溫度和濕度，模擬環(huán)境測(cè)試樣品在動(dòng)態(tài)環(huán)境中的形貌和組分變化，并記錄這些變化的過程。
1 電子光學(xué)：
1.1 發(fā)射源：高分辨肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍。
1.2 加速電壓：200V – 30kV。
1.3 放大倍數(shù)：6× - 2,500,000×。
1.4 電鏡內(nèi)設(shè)計(jì)有壓差真空系統(tǒng)，保護(hù)低真空/環(huán)境真空下電子槍，延長(zhǎng)壽命。
1.5 大的電子束束流：1pA -200nA連續(xù)可調(diào)，保證能譜高效工作。
2 真空系統(tǒng)：
2.1 1個(gè)250 l/s分子渦輪泵+1個(gè)機(jī)械泵+2個(gè)離子泵
2.2 集成的離子泵備用電池（用于意外斷電保護(hù)）
2.2 高真空模式：＜6×10-4 Pa （測(cè)試導(dǎo)電樣品或噴金處理樣品）
2.3 低真空模式：10 – 200 Pa （直接測(cè)試不導(dǎo)電樣品）
2.4 環(huán)境真空模式：10 – 4000 Pa （測(cè)試含水分樣品）
2.5 高真空模式下的換樣時(shí)間：≤3.5min
2.6 環(huán)境真空模式下的換樣時(shí)間：≤4.5min
3 分辨率：
獨(dú)立的高真空專用探測(cè)器，分辨率指標(biāo)
3.1 高真空分辨率30 kV下1.0 nm (二次電子)
3.2 高真空分辨率30 kV下2.5 nm (背散射電子)
3.3 高真空分辨率1 kV下3.0 nm (二次電子)
獨(dú)立的低真空專用探測(cè)器
3.4 低真空分辨率30 kV下1.3 nm (二次電子)
3.5 低真空分辨率30 kV下2.5 nm (背散射電子)
3.6 低真空分辨率3 kV下3.0 nm (背散射電子)
獨(dú)立環(huán)境真空專用探測(cè)器
3.7環(huán)境真空分辨率30 kV下1.3 nm (二次電子)
4 樣品室：
4.1 樣品室內(nèi)寬：340mm
4.2 分析工作距離：10 mm
4.3 樣品室紅外CCD相機(jī)：1個(gè)
4.4 最多可升級(jí)12個(gè)探測(cè)器或附件接口
5 樣品臺(tái)：
5.1 樣品臺(tái)類型：五軸全自動(dòng)U中心對(duì)中樣品臺(tái)，同時(shí)保留五軸手動(dòng)功能
5.2 行程：X：110 mm，Y：110 mm ，Z：65 mm，
5.4 旋轉(zhuǎn)R=n×360o，傾斜T=-15o/+90o
5.3 多功能樣品臺(tái)，存放標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái) (?12 mm)平面18個(gè)，斜面3個(gè)，同時(shí)提供2個(gè)斷面夾具
5.4 樣品安全高度≥85mm
電子光學(xué)：
1.1發(fā)射源：鎢燈絲（高性能電子光學(xué)鏡筒，雙陽極熱發(fā)射電子槍）
1.2固定式物鏡光闌，無需手動(dòng)調(diào)整使用方便
*1.3加速電壓：200V – 30kV，自動(dòng)256級(jí)偏壓設(shè)計(jì)
1.4放大倍數(shù)：6× - 1000000×
1.5極靴內(nèi)有一路單獨(dú)抽真空系統(tǒng)，保證在低真空和環(huán)境模式下電子槍高真空和不受污染，延長(zhǎng)燈絲壽命
1.6電子束束流：可達(dá)到的值不小于2µA，并連續(xù)可調(diào)
1.7使用工廠預(yù)對(duì)中燈絲更換方便
真空系統(tǒng)
2.11個(gè)250 l/s分子渦輪泵+1個(gè)機(jī)械泵
2.2高真空模式：＜1×10-5 Pa
*2.3低真空模式：10 – 130 Pa
*2.4環(huán)境真空模式：10 – 2600 Pa
*2.5高真空模式下的換樣時(shí)間：≤150秒
*2.6低真空及環(huán)境真空模式下的換樣時(shí)間：≤270秒
分辨率
3.1高真空模式下的分辨率
3.1.130 kV下3.0 nm (二次電子)
3.1.230 kV下4.0 nm (背散射電子)
*3.1.33 kV下8.0 nm (二次電子)
**3.2環(huán)境真空模式下的分辨率（以英文樣本公布的參數(shù)為準(zhǔn)，并作為驗(yàn)收指標(biāo)）
**3.2.130 kV下3.0 nm (二次電子)
3.2.2具備獨(dú)立的環(huán)境真空/超低真空模式二次電子探頭
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