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nanoETCH等離子刻蝕機(jī)

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更新時(shí)間：2022-11-04 16:33:24瀏覽次數(shù)：700次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

nanoETCH等離子刻蝕機(jī)

詳細(xì)介紹

§ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

nanoETCH刻蝕機(jī)是英國(guó)MOORFIELD公司與英國(guó)曼徹斯特大學(xué)“諾貝爾獎(jiǎng)"石墨烯團(tuán)隊(duì)共同開(kāi)發(fā)的一款采用“軟刻蝕"技術(shù)等離子體刻蝕機(jī)，該技術(shù)的特色是等離子體的功率低，分辨率高，功率可達(dá)10mV，主要用于刻蝕二維材料石墨烯等，刻蝕精度高，高重復(fù)性號(hào)，刻蝕超薄樣品無(wú)污染與殘留物，可避免傳統(tǒng)刻蝕機(jī)造成樣品的損傷與污染，有多篇Science 與Nature的文章里采用了該設(shè)備，是從事二維材料研究用戶的理想選擇。

§ 產(chǎn)品特性：

? 對(duì)基底材料無(wú)損傷

? 無(wú)殘留污染

? RF輸出功率低至30W

? RF輸出功率分辨率低至10mW

? 最多支持3通道MFC氣體控制，含Ar，O₂

? 通過(guò)觸控屏全自動(dòng)進(jìn)行刻蝕

? 真空度低至<5 × 10-7 mbar

? 全自動(dòng)壓力控制

? 可自定義刻蝕程序并具有儲(chǔ)存功能

? 維護(hù)簡(jiǎn)單

? 操作及其安全，有各種安全保護(hù)裝置

? 兼容超凈間

§ 主要技術(shù)參數(shù)：

? RF功率:低至30W

? RF功率分辨率:低至30W

? 樣品臺(tái)：標(biāo)準(zhǔn)3"，支持6"

? 2通道MFC氣體控制，Ar，O₂_，最多支持3通道MFC氣體控制

? 壓力控制分辨率：1mTorr

? 真空度：<5 × 10-7 mbar

§ 產(chǎn)品應(yīng)用：

? 機(jī)械剝離基體預(yù)處理，提高基體的尺寸與粘附力

? 二維材料刻蝕: 軟刻蝕技術(shù)可進(jìn)行pattern刻蝕，

? 缺陷工程與處理

§ 典型用戶

? the University of Exeter(UK)

? the University of Manchester(UK)

? ICFO – The Institute of Photonic Sciences ( Spain)

? the University of Cambridge and Nokia Research Centre (UK)

§ 典型論文：

1, Vertical field-effect transistor based on graphene–WS2 heterostructures for flexible and transparent electronics, Georgiou, T., et al. Nature Nanotechnology, 2012.

2, Chaotic dirac billiard in graphene quantum dots, Ponomarenko, L. A., et al. Science , 2008.

3, Detection of individual gas molecules adsorbed on grapheme, Schedin, F., et al. Nature Materials 2007.

4, Graphene-based mid-infrared room-temperature pyroelectric bolometers with ultrahigh temperature coefficient of resistance, Sassi, U., et al. Nature Communications, 2017.

§ 石墨烯生成設(shè)備請(qǐng)參考：nanoCVD-8G石墨烯化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

關(guān)鍵詞：刻蝕機(jī)

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