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硅基底石墨烯（1*1cm單層）

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具體成交價以合同協(xié)議為準

產品型號1*1cm單層

品       牌

廠商性質其他

所  在  地上海

聯(lián)系方式：袁文軍查看聯(lián)系方式

更新時間：2024-02-09 16:26:33瀏覽次數：192次

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產品簡介

簡要描述：硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on Si表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt; 95%制備方法：1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯2）石墨烯從銅轉移到硅襯底

詳細介紹

硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到硅襯底

硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到硅襯底


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