上海巨納科技有限公司
詳細摘要： 簡要描述：氧化石墨烯（進口） Graphite Oxide用H法制備，水溶性好直徑：0.5~5um厚度：1~3nm
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：單層石墨烯（進口） Single Layer Graphene高比表面積石墨烯制備方法：熱剝離還原與氫化還原BET比表面積（平方米/克）：400~10...
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：石墨烯納米薄片（2~10nm） Graphene Nanoplatelets體積特性外觀：黑色和灰色粉末碳含量：＞99.5%體積密度：0.10克/毫升...
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：單層石墨烯（石墨烯家族）Single Layer Graphene （Graphene Factory）BET比表面積（平方米/克）：650 ~ 75...
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制備方法：改良的H法高表面積氧化石墨烯直徑：1 ~ 5um厚度：...
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：工業(yè)級石墨烯 Industrial-Quality Graphene制備方法：熱剝離還原厚度（nm）：≤3BET比表面積（平方米/克）：~ 600電阻...
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：氮摻雜石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面積（平方米/克）：500 ~ 700電導率（S/m）gt; ...
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：單層氧化石墨烯（H法/進口） Single Layer Graphene Oxide （H Method）制備方法：改良的H法直徑：1~5um厚度：0...
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：氧化石墨烯（S法/進口） Graphene Oxide （S Method）制備方法：斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um厚度：0.8~1...
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：氧化石墨烯（S法/進口） Graphene Oxide （S Method）制備方法：斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um厚度：0.8~1....
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...
產(chǎn)品型號：2D Semiconductor所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our faciliti...
產(chǎn)品型號：2D Semiconductor所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride rat...
產(chǎn)品型號：2D Semiconductor所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfol...
產(chǎn)品型號：2D Semiconductor所在地：上海更新時間：2024-02-11 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：制備方法：層間催化裂解法厚度：1~5nm直徑：~5um比表面積：90-130 m2/g外觀：黑色粉末制備方法：層間催化裂解法 厚度：1~5nm直徑：~...
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-11 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：制備方法：層間催化裂解法厚度：~2nm直徑：5~10um純度：98%含氧量：1.44%電導率：~2597 s/cm
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-11 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our faciliti...
產(chǎn)品型號：2D Semiconductor所在地：上海更新時間：2024-02-11 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...
產(chǎn)品型號：2D Semiconductor所在地：上海更新時間：2024-02-11 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride rat...
產(chǎn)品型號：2D Semiconductor所在地：上海更新時間：2024-02-11 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfol...
產(chǎn)品型號：2D Semiconductor所在地：上海更新時間：2024-02-11 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
環(huán)保在線 設(shè)計制作，未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ?
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼