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SEGe高純鍺能譜儀

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更新時(shí)間：2022-10-28 16:20:10瀏覽次數(shù)：734次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

SEGe高純鍺能譜儀，本產(chǎn)品經(jīng)常稱為純鍺、HPGe、本征鍺、高純鍺探測(cè)器。適合于能量在 40 keV 到 10MeV 以上的譜學(xué)應(yīng)用。

詳細(xì)介紹

SEGe高純鍺能譜儀簡(jiǎn)介：
•普通的同軸鍺探測(cè)器經(jīng)常稱為純鍺、HPGe、本征鍺、高純鍺探測(cè)器
•不管應(yīng)用得有多好，探測(cè)器基本是一個(gè)鍺圓柱體，外表面上有一個(gè) n 型觸點(diǎn)，一個(gè) p 型觸點(diǎn)在同軸的井表面上
•SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器鍺具有 1010 原子/cc 水平的純度，因而只有中等程度逆偏移，電極之間整個(gè)體積是耗盡的，電場(chǎng)延伸到整個(gè)活性區(qū)
•SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器光子在這一區(qū)域中的交互作用產(chǎn)生電荷，這些電荷被電場(chǎng)掃到它們的收集電極，此處一個(gè)電荷靈敏前置放大器把這一電荷量轉(zhuǎn)換成與釋放在探測(cè)器中的能量成正比的電壓脈沖
•SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器 n 和 p 觸點(diǎn)或電極一般分別是擴(kuò)散的鋰和植入硼。外部的n型擴(kuò)散的鋰觸點(diǎn)大約0.5 mm厚
•SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器內(nèi)部的觸點(diǎn)大約0.3 µm 厚。表面位壘可以代替植入的硼，產(chǎn)生相同的結(jié)果

SEGe高純鍺能譜儀特點(diǎn)：
•SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器適合于能量在 40 keV 到 10MeV 以上的譜學(xué)應(yīng)用
•SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器高分辨率 - 好峰形
•SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器很好的時(shí)間分辨率
•SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器高能量速率能力
•SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器二極管 FET 保護(hù)
•SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器過熱/HV 關(guān)機(jī)
•SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器高速率指示

Canberra 的同軸鍺探測(cè)器可以在常溫條件下運(yùn)輸和儲(chǔ)存，而不必冷卻。但是，使探測(cè)器保持冷卻，能夠*佳地保持長(zhǎng)期穩(wěn)定性。象所有鍺探測(cè)器一樣，它在使用時(shí)必須冷卻以免過熱產(chǎn)生漏電流。這種探測(cè)器的非易耗特性拓寬了 Ge 譜儀的應(yīng)用范圍，包括在現(xiàn)場(chǎng)作為手提譜儀使用。同軸鍺探測(cè)器有用的能量范圍是 40keV 到 10MeV以上。分辨率和峰形是很好的，可提供各種不同的效率。下表中給出可提供的型號(hào)。

SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器規(guī)格和信息：
標(biāo)準(zhǔn)的配置包括：
•垂直細(xì)冷指低溫恒溫器，帶 30 立升杜瓦
•Model 2002C 前置放大器，3 米偏移、高壓禁止、信號(hào)和電源電纜

從選購件報(bào)價(jià)清單中挑選低溫恒溫器選購件。122 keV 的分辨率是典型值，不是規(guī)定指標(biāo)。
SEGe標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器

需要相對(duì)效率的探測(cè)器，請(qǐng)咨詢工廠。

*注；由于晶體大小的變化，頂帽直徑也許更大。為了保證頂帽直徑或提供定制的規(guī)格和硬件定制化，請(qǐng)咨詢工廠。上面的規(guī)格與 IEEE Std 325-1996 一致。分辨率性能使用 Lynx* 數(shù)字 MCA 測(cè)試。對(duì)使用其它 CANBERRA 數(shù)字 l MCA 的性能保證，請(qǐng)咨詢工廠。