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六硼化鑭掃描電子顯微鏡

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

性能指標(biāo)電鏡分辨率:2.0nm@30kV；5.0nm@3kV加速電壓:200V～30kV束流大小:1pA-2A景深：可達(dá)7mm電鏡檢測(cè)器:高真空二次電子檢測(cè)器(SE)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)可伸縮式背散射電子探測(cè)器(BSE)（用于高真空和低真空）、低真空二次電子探測(cè)器（LVSTD,upto500Pa）樣品室紅外CCD探測(cè)器

詳細(xì)介紹

性能指標(biāo)

電鏡分辨率: 2.0nm @ 30kV；5.0nm @ 3kV
加速電壓: 200V～30kV
束流大小: 1pA-2μA
景深：可達(dá)7mm
電鏡檢測(cè)器: 高真空二次電子檢測(cè)器(SE)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)可伸縮式背散射電子探測(cè)器(BSE)（用于高真空和低真空）、低真空二次電子探測(cè)器（LVSTD, up to 500 Pa）樣品室紅外CCD探測(cè)器。
能譜： Oxford AZtec MaxN-80

主要應(yīng)用

VEGA 3 – XMU (LaB6)型掃描電子顯微鏡兼具高、低真空兩種模式，適用于導(dǎo)電材料和非導(dǎo)電材料表面形貌的觀察，獲得表面形貌的二次電子像、背散射電子像。
擁有加強(qiáng)景深顯示模式，景深可達(dá)7mm以上，專(zhuān)門(mén)用于觀察高低落差大的樣品，比如金屬斷口、失效分析等。

樣品要求

樣品不得為具有磁性的粉末，并且不易被磁化，粉末中不得含有鐵（Fe）、鈷（Co）、鎳（Ni）。
樣品中不得含有水分。
樣品高度小于80mm，直徑小于130mm。
多孔類(lèi)或易潮解的樣品，請(qǐng)?zhí)崆罢婵崭稍锾幚怼?
樣品應(yīng)具有導(dǎo)電性。若樣品不導(dǎo)電，需要進(jìn)行鍍金、碳等導(dǎo)電膜的處理（本中心也提供鍍膜服務(wù)，但需要另行收費(fèi)）。

儀器說(shuō)明

VEGA 3 XMU (LaB6) 采用介于肖特基與鎢燈絲性能之間的LaB6（六硼化鑭）作為電子發(fā)射源。
LaB6的優(yōu)勢(shì)包括：比場(chǎng)發(fā)射電子源更穩(wěn)定的電子發(fā)射源，在陰極較低溫度下可獲取比鎢燈絲電子源更高的束流，因此在各個(gè)不同加速電壓下和整個(gè)使用壽命中，LaB6都可以保持很高的亮度和分辨率。
配備能譜，可做常規(guī)元素分析。

關(guān)鍵詞：掃描電子顯微鏡

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