名稱

1200℃多坩堝同時(shí)移動型管式爐（可同時(shí)移動2個(gè)坩堝源）-OTF-1200X-Ⅱ-S2

管式爐

雙溫區(qū)管式爐：兩個(gè)獨(dú)立的溫控系統(tǒng)對每個(gè)溫區(qū)進(jìn)行獨(dú)立控溫

電壓：220V AC 50/60Hz

功率：3KW

加熱區(qū)長度：440mm

恒溫區(qū)長度：300mm

溫度曲線圖(兩個(gè)溫區(qū)設(shè)置在800℃時(shí)所測，僅供參考）

爐管材料：高純石英管

標(biāo)配爐管尺寸：Φ100（外）×Φ94（內(nèi)）×640（長）

工作溫度：1200℃（＜1h）

連續(xù)工作溫度：1100℃

控溫精度：±1℃

推薦升溫速率：10℃/min

坩堝推送機(jī)構(gòu)（升降雙通道進(jìn)料系統(tǒng)）

一根鎧裝熱電偶通過左端法蘭通入爐管內(nèi)部，并與坩堝相連接，實(shí)現(xiàn)溫度的實(shí)時(shí)監(jiān)測（如圖1）。

升降雙通道進(jìn)料系統(tǒng)放置在一中空的真空腔體中，上方采用不銹鋼真空法蘭進(jìn)行密封，兩端同樣采用不銹鋼真空法蘭與坩堝推進(jìn)裝置及管式爐進(jìn)行連接，保證進(jìn)料在真空狀態(tài)或者氣氛保護(hù)狀態(tài)下進(jìn)行運(yùn)作（圖2）。

進(jìn)料系統(tǒng)真空腔體右端與管式爐連接法蘭處安裝有2個(gè)獨(dú)立小石英管（圖3）。

在升降雙通道進(jìn)料系統(tǒng)中至多可放入4個(gè)坩堝（圖4），利用推送系統(tǒng)可交替將4個(gè)不同蒸發(fā)源單個(gè)依次送入石英管中，也可將放入不同材料的2個(gè)坩堝蒸發(fā)源一同送入，分別精確的推入兩個(gè)獨(dú)立的小石英管中（圖5），找到所需的蒸發(fā)溫度處進(jìn)行共蒸發(fā)或者反應(yīng)蒸發(fā)，保證實(shí)驗(yàn)的重復(fù)性以及穩(wěn)定性（圖6）。

圖一 圖二 圖三 圖四 圖五

圖六

坩堝推送控制系統(tǒng)

采用PLC觸摸屏控制。

通過一步進(jìn)電機(jī)控制坩堝的移動速度和位置，進(jìn)樣位置和速度可調(diào)。

可控制坩堝移動位移為1mm。

坩堝移動距離為200mm。

真空表

機(jī)械壓力表+數(shù)顯壓力表

真空泵

真空度：10E-2 torr（采用機(jī)械泵），10-E5 torr（采用分子泵）

混氣系統(tǒng)

此套設(shè)備中配有一2路混氣系統(tǒng)

輸出功率：18W

工作溫度：5-45℃

精度：±1%FS

質(zhì)量流量計(jì)量程：1:0-100sccm 2:1-199sccm

可根據(jù)客戶要求選購1-5路供氣系統(tǒng)

水冷系統(tǒng)

標(biāo)配—16L循環(huán)水冷系統(tǒng)

產(chǎn)品尺寸

2600mm（L）×600mm（W）×900（H）mm

質(zhì)保期

一年質(zhì)保期，終生維護(hù)。

質(zhì)量認(rèn)證

CE認(rèn)證

所有電器元件（>24V）都通過UL/MET/CSA認(rèn)證

若客戶出認(rèn)證費(fèi)用，本公司保證單臺設(shè)備通過德國TUV認(rèn)證或CSA認(rèn)證。

國家

名稱：一種小型熱等靜壓爐裝置

編號：ZL-.0

使用注意事項(xiàng)

爐管內(nèi)氣壓不高于0.02MPa。

由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時(shí)，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa，使用時(shí)會更加精確安全。

當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí)，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)。

進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊。

石英管的長時(shí)間使用溫度<1100℃。

對于樣品加熱是實(shí)驗(yàn)，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需要時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）。

應(yīng)用注意事項(xiàng)

此款管式爐具有多種用途。

熱蒸發(fā)：把蒸發(fā)料放在坩堝里，通過移動坩堝來精確找到所需要的蒸發(fā)溫度。

HPCVD：通入反應(yīng)氣體與蒸發(fā)的物料反應(yīng)后再沉積。

共蒸發(fā)沉淀或反應(yīng)蒸發(fā)沉積:利用*的雙通道進(jìn)料裝置可以實(shí)現(xiàn)兩蒸發(fā)源的同時(shí)送入，實(shí)現(xiàn)共蒸發(fā)沉積或反應(yīng)蒸發(fā)沉積。

多層二維晶體：此套設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)多層二維晶體的制備（硒化物硫化物等），操作方便簡單，實(shí)驗(yàn)更具精確性、重復(fù)性。

免責(zé)聲明

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