功率器件失效根因分析強大專家技術(shù)團(tuán)隊服務(wù)范圍

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分?器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊

檢測標(biāo)準(zhǔn)

l  GJB548B-2005微電?器件試驗?法和程序

l  GJB8897-2017軍?電?元器件失效分析要求與?法

l  QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求

檢測項目

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

功率器件失效根因分析強大專家技術(shù)團(tuán)隊服務(wù)背景

受益于國產(chǎn)替代趨勢，國內(nèi)功率器件廠商迎來了發(fā)展機(jī)會。在成長中廠商迫切希望減少或消除產(chǎn)品失效，并在設(shè)計、?藝和產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、可靠性測試、封裝等階段進(jìn)?改進(jìn)，以迅速占領(lǐng)市場。

我們的優(yōu)勢

廣電計量擁有專家團(tuán)隊及先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客?提供完整的失效根因分析服務(wù)，針對產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計、來料檢驗、加?組裝、測試篩選、客?端使?等各個環(huán)節(jié)，為客?提供失效分析咨詢、協(xié)助客?開展設(shè)計規(guī)劃、以及分析測試服務(wù)。