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當前位置：深圳市華科智源科技有限公司>>其他測試儀>>雪崩能量測試儀>> 雪崩能量測試儀
| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地深圳市
更新時間：2019-01-11 09:25:40瀏覽次數(shù)：1153次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線| 測量范圍 | IGBT模塊測試儀-華科智源 IGBT檢測儀廠家 | 測量精度 | IGBT模塊測試儀-華科智源 IGBT檢測儀廠家 |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 供貨周期 | 30天 |
| 外形尺寸 | IGBT模塊測試儀-華科智源 IGBT檢測儀廠家mm | 用途 | 軌道交通,風力發(fā)電,電動汽車 |
| 重量 | 30kg |
半導體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應用為廣泛的基礎(chǔ)元件，其性能表現(xiàn)對整個電子電路系統(tǒng)來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能夠承受電路中的電流，滿足一定的雪崩耐量。
雪崩能量測試儀測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器，并由示波器與工控機直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計算機，計算機將測試數(shù)據(jù)以EXCEL表格形式顯示并進行終的編輯和打印。
HUSTEC2020 雪崩能量測試儀
功能指標：
| 配置 | 測試范圍 | 測試參數(shù) | 條件 | 范圍 | |
| 電壓 | IGBTs | EAS/單脈沖雪崩能量 | VCE | 20V～4500V | 20~100V±3%±1V |
| 電流 | MOSFETs | EAR/重復脈沖雪崩能量 | Ic | 1mA～200A | 1mA～100mA±3%±0.1mA |
| DIODEs | IAS/單脈沖雪崩電流 | Ea | 1J～2000J | 1J～100J±3%±1J | |
| PAS/單脈沖雪崩功率 | IC檢測 | 50mV/A（取決于傳感器） | |||
| 感性負載 | 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 | ||||
| 重復間隙時間 | 1~60s可調(diào)（步進1s） 重復次數(shù)：1~50次 | ||||
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