深圳市華科智源科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 華科智源IGBT測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源大功率igbt測(cè)試設(shè)備，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 晶體管測(cè)試儀擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-DC-2010所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源igbt檢測(cè)設(shè)備，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-26 在線留言
詳細(xì)摘要： 分立器件測(cè)試系統(tǒng)擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-DC-2010所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-26 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源半導(dǎo)體器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-26 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源IGBT測(cè)試機(jī)，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-25 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-25 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源大功率模塊測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-25 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-05 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源SiC器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-05 在線留言
詳細(xì)摘要： 二/三極管測(cè)試儀設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-05 在線留言
詳細(xì)摘要： 柵極電阻/電容測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，可...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-CV-1200所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-05 在線留言
詳細(xì)摘要： 10us方波浪涌測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-05 在線留言
詳細(xì)摘要： 10us浪涌電流測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-02-20 在線留言
詳細(xì)摘要： 結(jié)電容測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，可以單點(diǎn)測(cè)...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-CV-1200所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-02-20 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源結(jié)cv曲線測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-CV-1200所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-02-20 在線留言
詳細(xì)摘要： 品牌： 華科智源 名稱： 浪涌電流測(cè)試儀 型號(hào)： HUSTEC-IFSM-1200A 用途： 浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言
詳細(xì)摘要： ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查...
產(chǎn)品型號(hào)：ITC55100所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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