深圳市華科智源科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 華科智源在線檢修用IGBT測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源軌道檢修用IGBT測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源電網(wǎng)檢修用IGBT測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-DC-2010所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源igbt測(cè)試儀器，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源IGBT綜合特性測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-DC-2010所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-二極管浪涌測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-浪涌電流測(cè)試設(shè)備，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源便攜式IGBT測(cè)試設(shè)備，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源cv曲線測(cè)試設(shè)備，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-CV-1200所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源便攜式IGBT測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源大功率IGBT測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源igbt測(cè)試設(shè)備，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源功率器件綜合測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源光耦測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源碳化硅器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 晶閘管測(cè)試儀擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-DC-2010所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源可控硅測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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