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維意真空ALD原子層沉積鍍膜設(shè)備

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北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司

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北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司
一、設(shè)備概述：
? ? ? ?PE-ALD等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)是專(zhuān)門(mén)為特殊應(yīng)用領(lǐng)域的科學(xué)研究與工業(yè)開(kāi)發(fā)用戶(hù)而設(shè)計(jì)的單片沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)電氣*符合CE標(biāo)準(zhǔn)；該系統(tǒng)擴(kuò)展了普通原子層沉積系統(tǒng)對(duì)前驅(qū)體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度，廣泛應(yīng)用于對(duì)溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。

二、*的軟件控制系統(tǒng)：系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設(shè)備于一體。

詳細(xì)介紹

北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司

一、設(shè)備概述：? ? ? ?PE-ALD等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)是專(zhuān)門(mén)為特殊應(yīng)用領(lǐng)域的科學(xué)研究與工業(yè)開(kāi)發(fā)用戶(hù)而設(shè)計(jì)的單片沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)電氣*符合CE標(biāo)準(zhǔn)；該系統(tǒng)擴(kuò)展了普通原子層沉積系統(tǒng)對(duì)前驅(qū)體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度，廣泛應(yīng)用于對(duì)溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。二、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：? ? ? *的軟件控制系統(tǒng)：系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設(shè)置、權(quán)限設(shè)定、互鎖報(bào)警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體.三、技術(shù)指標(biāo)：? ? ? ?基片尺寸 8英寸及以下? ?基片加熱溫度 室溫～500℃，控制精度±0.1℃? ?前驅(qū)體輸運(yùn)系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)3路前驅(qū)體管路，可選配? ?前驅(qū)體管路溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃? ?源瓶加熱溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃? ? ALD閥 Swagelok快速高溫ALD閥? ? 本底真空 ＜5*10-5Torr，進(jìn)口防腐泵? ? 載氣系統(tǒng) N2或者Ar? ? 生長(zhǎng)模式 高速沉積模式和停留生長(zhǎng)模式? ? 等離子體源 300W 感應(yīng)耦合遠(yuǎn)程等離子體? ? 等離子體放電氣源 標(biāo)準(zhǔn)3路，可選配? ? 控制系統(tǒng) PLC+觸摸屏或者顯示器? ? 電源 50-60Hz, 220V/20A交流電源? ? 沉積非均勻性 非均勻性＜±1%? ? 設(shè)備尺寸 1000mm x 750mm x 1600mm四、可沉積薄膜種類(lèi)：? ? ?? 單 質(zhì)：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…? ?氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …? ?氧化物：TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…? ?其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…五、ALD應(yīng)用實(shí)例：

高K柵氧化層，存儲(chǔ)容性電介質(zhì)，銅互連中高深寬比擴(kuò)散阻擋層，OLED無(wú)針孔鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜，特種光纖摻雜，太陽(yáng)能電池，平板顯示器，光學(xué)薄膜，其它各類(lèi)特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜

關(guān)鍵詞：顯示器電池

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