北京華科盛精細化工產品貿易有限公司生產銷售鎵標準儲備液：鎵是一種無機化合物，化學式為Ga2O3。別名三氧化二鎵，是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
北京華科盛精細化工產品貿易有限公司生產銷售鎵標準儲備液：
白色三角形的結晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點1900℃(在600℃時轉化為β型)。
易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機酸。
有α，β兩種變體。α型為白色菱形六面體。
物性數(shù)據(jù)：
性狀：α-Ga2O3為六方晶型，β-Ga2O3屬于單斜晶型。
熔點（oC）：1740
溶解性：不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。
1.向三氯化鎵GaCl3的熱水溶液中加NaHCO3的高濃熱水溶液，煮沸到鎵的氫氧化物全部沉淀出來為止。用熱水洗滌沉淀至沒有Cl-為止，在600℃以上煅燒則得到β-Ga2O3。殘留NH4Cl時，在250℃就和Ga2O3反應，生成揮發(fā)性GaCl3。
2.這是高純Ga2O3的制法。以高純金屬Ga為陽極，溶解于5%～20%H2SO4溶液里，向溶液加氨水，冷卻，將Ga(NH4)(SO4)2反復結晶，在105℃干燥，在過量氧的條件下在800℃灼燒2h，則得到純度為99.99%～99.9999%的產品。
3.稱取1kg99.9999%的高純鎵放入三頸燒瓶中，加入高純硝酸，使鎵全部溶解，然后過濾，濾液倒入三頸燒瓶中，移至電爐上蒸發(fā)（在通風櫥中進行），濃縮到接近結晶時，將溶液移置于大號蒸發(fā)皿中蒸發(fā)至干。將蒸干的Ga（NO3）3放在馬弗爐中進行灼燒，溫度控制在550℃，灼燒5h，待冷卻后取出成品，得1.2kg高純氧化鎵。
[1] 實驗
氧化鎵納米結構的合成是在管式高溫擴散爐中進行．首先是將硅片(基底)鍍金，鍍金之前先將硅片依次用丙酮、乙醇和去離子水進行超聲水洗，然后放置在烘箱中烘干，最后利用磁控濺射儀濺射沉積厚度約為20nm的金薄膜即可．實驗原材料是氧化鎵粉末，和碳粉按照 1:2的質量比混合，放置在石英舟中，在距混合粉末1.5cm左右處擺放鍍金的硅片，根據(jù)氮氣流的方向，以混合粉末在石英舟上游，硅片在下游的順序將石英舟緩慢推進高溫擴散爐的的石英管的中心．設定加熱程序，將擴散爐加熱到1300℃并保溫60min，然后取出自然冷卻到室溫，可以看到硅片上有大量的白色絮狀物。最后將所得的樣品用SEM、TEM、XRD 等進行表征。鎵標準儲備液
環(huán)保在線