聚苯乙烯球上的金納米顆粒，在3kV電壓下成像。左：Inlens SE 圖像，表面形貌。右：EsB 圖像，材料襯度。樣品：由德國(guó)University Erlangen-Nuremberg 大學(xué)的 N. Vogel 提供。
蔡司GeminiSEM 系列
用于進(jìn)行高襯度和低電壓成像的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
GeminiSEM 系列產(chǎn)品能夠輕松實(shí)現(xiàn)亞納米分辨成像，即便在低真空模式下仍具有的探測(cè)效率。GeminiSEM 500 將成熟的 Gemini 技術(shù)與革新的光學(xué)設(shè)計(jì)結(jié)合，從而全面提升成像分辨率，尤其是在低電壓下。借助其 20 倍增強(qiáng)的 in-lens 信號(hào)探測(cè)能力，您能夠快速地獲取清晰圖像，并使樣品損傷降至。GeminiSEM 系列產(chǎn)品的全新可變壓力模式，讓您擁有在高真空環(huán)境下成像的感覺(jué)。
運(yùn)用 GeminiSEM 系列產(chǎn)品獲取真實(shí)世界中任意樣品的出色圖像，為您的研究、工業(yè)實(shí)驗(yàn)室或成像平臺(tái)添置一臺(tái)靈活、可靠的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡。
在低電壓下獲取更豐富的細(xì)節(jié)信息
- 在低電速電壓下利用高襯度照片解析納米級(jí)結(jié)構(gòu)信息。
- 在500V電壓下達(dá)到1.2nm分辨率成像，在1kV電壓下達(dá)到1.1nm分辨率成像。您將受益于無(wú)樣品偏差的出色圖像品質(zhì)。
- 成熟的Gemini技術(shù)縮短了成像時(shí)間。
隨時(shí)提供更強(qiáng)的信號(hào)
- GeminiSEM 500新的物鏡設(shè)計(jì)大大提高了檢測(cè)效率。它將in-lens二次電子信號(hào)增強(qiáng)了20倍。
- 通過(guò)檢測(cè)最合適的那部分電子信號(hào)， 您可以提升效率并獲得樣品的信息。
- 您可以利用這一優(yōu)勢(shì)顯著縮短成像時(shí)間，或者使用更低電流以避免樣品損傷。
可變壓力使其更具靈活性
- 在可變壓力模式下工作，讓您擁有在高真空環(huán)境下成像的感覺(jué)。
- 在可變壓力下使用in-lens檢測(cè)。獲得高分辨率、高襯度和高信噪比的圖像。
- 如今，即使是要求的非導(dǎo)電樣品也能獲得清晰圖像。
技術(shù)規(guī)格
| 基本規(guī)格 | 蔡司 GeminiSEM 500 | 蔡司 GeminiSEM 300 |
| 分辨率* | 15 kV 時(shí)，0.5 nm | 15 kV 時(shí)，0.7 nm |
| 1 kV 時(shí)，0.9 nm | 1 kV 時(shí)，1.2 nm | |
| 0.5 kV 時(shí)，1.0 nm | ||
| 在 30 Pa 樣品室壓力和 3 kV 電壓（配有 可變壓力機(jī)型）下，1.4 nm | ||
| 加速電壓 | 0.02 – 30 kV | |
| 探針電流 | 3 pA - 20 nA（另有 100 nA 配置） | |
| 放大倍率 | 50 – 2,000,000 × | 12 – 2,000,000 × |
| 電子槍 | 熱場(chǎng)發(fā)射型，穩(wěn)定性優(yōu)于 0.2%/h | |
| 主機(jī)標(biāo)配探測(cè)器 | Inlens 二次電子探測(cè)器 | |
| Everhart Thornley 二次電子探測(cè)器 | ||
| 高效 VPSE 探測(cè)器（包含在可變壓力選件中） | ||
| 可選配的探測(cè)器 | ||
| 環(huán)形 STEM 探測(cè)器（aSTEM 4） | ||
| AsB4背散射探測(cè)器 | ||
| 陰極熒光探測(cè)器 | ||
| 圖像存儲(chǔ) | 32k × 24k 像素 | |
| 樣品臺(tái) | 5 軸電動(dòng)優(yōu)中心樣品臺(tái) | |
| X = 130 mm；Y = 130 mm | ||
| Z = 50 mm | ||
| T = -3o - 70o | ||
| R = 360o （連續(xù)） | ||
| 按需可提供更多載物臺(tái)選件 | ||
*工作距離處的分辨率參數(shù)，取決于配置 | ||
