分立器件間歇壽命IoL功率老化-第三方檢測中心

高溫反偏試驗（HTRB）  

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度  150℃；電壓  5000V；

高溫柵偏試驗（HTGB）  

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗對象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度  150℃；電壓  100V；

高溫高濕反偏試驗（H3TRB）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度85℃，濕度范圍：25%~95%，電壓  4500V；

功率老煉測試      

試驗對象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；

試驗能力：檢測 電壓：4500V，檢測 電流：200A

間歇壽命試驗（IOL）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、 ；

試驗對象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；

檢測能力：ΔTj≧100℃ 電壓 60V，電流 50A。

功率循環(huán)試驗（PC）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、 ；

試驗對象：IGBT模塊；

檢測能力：ΔTj=100℃，電壓 30V，電流 1800A；

熱阻測試（Riath）    

執(zhí)行標準：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；

試驗對象：各類二極管；

試驗能力：瞬態(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻

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