高溫反偏HTRB功率老化第三方檢測中心
高溫反偏試驗（HTRB）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；
試驗?zāi)芰Γ簻囟? 150℃；電壓 5000V；
高溫柵偏試驗（HTGB）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗對象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；
試驗?zāi)芰Γ簻囟? 150℃；電壓 100V；
高溫高濕反偏試驗（H3TRB）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；
試驗?zāi)芰Γ簻囟?5℃，濕度范圍：25%~95%，電壓 4500V；
功率老煉測試
試驗對象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；
試驗?zāi)芰Γ簷z測 電壓：4500V，檢測 電流：200A
間歇壽命試驗（IOL）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；
檢測能力：ΔTj≧100℃ 電壓 60V，電流 50A。
功率循環(huán)試驗（PC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、 ；
試驗對象：IGBT模塊；
檢測能力：ΔTj=100℃，電壓 30V，電流 1800A；
熱阻測試（Riath）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；
試驗對象：各類二極管；
試驗?zāi)芰Γ核矐B(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻
環(huán)境老煉
高溫存儲試驗（HTSL）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ簻囟?span> 220℃；
低溫存儲試驗（LTSL）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ簻囟?span> -70℃。
高低溫循環(huán)試驗（TC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ簻囟确秶?span>-40℃~175℃。
溫度沖擊試驗
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB 150-86、GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ簻囟确秶?span>-70℃~220℃。
高溫蒸煮試驗（PCT）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 4937.4-2012?、JESD22-A110D-2010?
IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008?；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ?/span>?溫度范圍?：105℃到142.9℃之間；濕度范圍?： 75%到100RH。
壓力范圍?：0.02MPa到0.186MPa。
可焊性試驗
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-202G、MIL-STD-883G、GB2423、IEC60068；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
振動試驗
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗方法：模擬產(chǎn)品在運(yùn)輸、安裝及使用環(huán)境下所遭遇到的各種振動環(huán)境影響，主要用于評定元器件、零部件及整機(jī)在預(yù)期的運(yùn)輸及使用環(huán)境中的抵抗能力，以了解產(chǎn)品的耐振壽命和性能指標(biāo)的穩(wěn)定性。
鹽霧試驗
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T2423.17—2008、GB/T2423.18—2000、GB5938—86；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗方法：通過人工模擬鹽霧環(huán)境條件來考核產(chǎn)品或金屬材料耐腐蝕性能的環(huán)境試驗。一般用于對材料(表面鍍層)或表面處理工藝進(jìn)行評價、篩選、對比，確定產(chǎn)品中潛在問題的區(qū)域和部位,發(fā)現(xiàn)質(zhì)量控制的不足,尋找設(shè)計缺陷等。
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