螣芯HS系列單雙面對準(zhǔn)光刻機
全自動接觸式光刻機(紫外光刻機)4-12寸可選
全自動單 /雙面接近式曝光機,兼容方形片光刻 4-12寸晶圓單、雙面曝光機 靈活多選定制
主要應(yīng)用:MEMS制造、CMOS圖像傳感器、存儲器、聲波器件、微流體芯片、化合物半導(dǎo)體、 晶圓級封裝、(TSV)等領(lǐng)域。
把涂有光刻膠的晶圓與掩膜重疊,專用顯微鏡和X?Y?θ,實現(xiàn)多層曝光時的自動對位,
對位臺。自動進(jìn)行基板調(diào)整、對位、曝光、傳送。
技術(shù)參數(shù):
1.工作方式:裝載機械手將晶圓片從 A 晶圓盒自動裝載至預(yù)定位工作臺,經(jīng)過定位傳感器及自動旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)的調(diào)節(jié),實現(xiàn)工件的預(yù)定位;裝載機械手再將完成預(yù)定位后的晶圓片裝載至對準(zhǔn)工作臺,經(jīng)過計算機圖像識別及自動對準(zhǔn)系統(tǒng)的調(diào)節(jié),實現(xiàn)掩模版上圖形與晶圓片上的圖形的自動對準(zhǔn),也可以不用對位圖形完成一次曝光,經(jīng)過曝光系統(tǒng)的自動曝光后,再由卸載機械手將晶圓片自動放入 B 晶圓盒,直至整個晶圓盒內(nèi)的晶圓全部完成套刻曝光。
2.曝光面積: 6寸”(可定制)
3.曝光照度不均勻性:≤3%;
4.曝光強度:0~≥50mw/cm2可調(diào);
5.紫外光束角:≤3°(可選 2?或 1°相對曝光照度會變?nèi)酰?/p>
6.紫外光中心波長:365nm;(可選汞燈全波段)
7.紫外光源壽命:≥2 萬小時;
8.分離量:0~≥1090um 可調(diào);
9.對準(zhǔn)精度:≤1μm;
10.曝光方式:硬接觸、軟接觸和接近式曝光;
11. 曝光模式:可選擇一次曝光或套刻曝光
12. 定位傳感器及自動旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)(含預(yù)訂位工作臺):旋轉(zhuǎn)角度 Q≥±180°旋
轉(zhuǎn)精度 Q≤0.001°;
13.圖像識別及自動對準(zhǔn)系統(tǒng)(含對準(zhǔn)工作臺):對準(zhǔn)范圍 X.Y≥±5mm,升旋
轉(zhuǎn)角度 Q≥±3°,顯微鏡整體橫向相對移動≥±70mm。
14.掩模版尺寸: 7”x7 “(可定制)
15.晶圓尺寸: 6“(可定制)
16.A.B 晶圓盒移動:Z≥±100mm;
17.裝卸載機械手:X≥±100mm,Y≥±100mm,Z≥±20mm;
18.晶圓盒晶圓片數(shù)量:根據(jù)客戶晶圓盒晶圓數(shù)量定;
19.版架臺移動:X.Y≥±3mm,Z≥±2mm;
20.曝光定時:0~999.9 秒可調(diào);
21. 生產(chǎn)節(jié)拍:10 秒+曝光時間;
22.電源:單相 AC220V 50HZ ,功耗≤1KW;
23.潔凈空氣壓力:≥0.4MPa;
24.真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;25.尺寸:1200*1000*1500mm ;
26.重量:約 200kg
螣芯HS系列單雙面對準(zhǔn)光刻機