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廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司

光譜橢偏儀

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱邁可諾技術(shù)有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2022/11/12 16:11:04
  • 訪問次數(shù)307
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邁可諾技術(shù)(Mycro Technologies)是一家面向大中華及東南亞地區(qū)(包括中國(guó)、香港、澳門、中國(guó)臺(tái)灣、新加坡、馬來(lái)西亞、越南等地)科研院所和企業(yè)研發(fā)中心的研究人員,提供歐美日韓*實(shí)驗(yàn)室設(shè)備、耗材和技術(shù)支持的專業(yè)供應(yīng)商。
光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長(zhǎng)范圍。DUV范圍可用于測(cè)量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約1至2nm厚。當(dāng)用戶需要測(cè)量許多材料的帶隙時(shí),深紫外光譜橢偏儀也是的??梢娀蚪t外范圍用于測(cè)量相對(duì)厚或非常厚的涂層。當(dāng)然,如果必須確定光學(xué)常數(shù),則應(yīng)將工具的波長(zhǎng)范圍配置為該范圍。其他配置,如波長(zhǎng)分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應(yīng)用進(jìn)行考慮。光譜橢偏儀特征:?基于Wi......
光譜橢偏儀 產(chǎn)品信息

光譜橢偏儀可配置從DUVNIR的波長(zhǎng)范圍。DUV范圍可用于測(cè)量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約12nm厚。當(dāng)用戶需要測(cè)量許多材料的帶隙時(shí),深紫外光譜橢偏儀也是的??梢娀蚪t外范圍用于測(cè)量相對(duì)厚或非常厚的涂層。當(dāng)然,如果必須確定光學(xué)常數(shù),則應(yīng)將工具的波長(zhǎng)范圍配置為該范圍。其他配置,如波長(zhǎng)分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應(yīng)用進(jìn)行考慮。



光譜橢偏儀特征:

?基于Window軟件,易于操作;

?的光學(xué)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能;

?高功率DUV-VIS-NIR光源,適用于寬帶應(yīng)用;

?基于陣列的探測(cè)器系統(tǒng),確保快速測(cè)量;

?用戶可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層;

?能夠用于實(shí)時(shí)或在線厚度,折射率監(jiān)測(cè);

?系統(tǒng)配有全面的光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù);

?高級(jí)TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對(duì)每個(gè)膠片使用NK表,色散或有效介質(zhì)近似(EMA);

?三種不同的用戶級(jí)別控制:工程師模式,系統(tǒng)服務(wù)模式和簡(jiǎn)易用戶模式;

?靈活的工程模式,適用于各種配方設(shè)置和光學(xué)模型測(cè)試;

?強(qiáng)大的一鍵式按鈕解決方案,用于快速和常規(guī)測(cè)量;

?可按照用戶偏好配置測(cè)量參數(shù),操作簡(jiǎn)便;

?系統(tǒng)全自動(dòng)校準(zhǔn)和初始化;

?直接從樣品信號(hào)獲得精確的樣品對(duì)齊接口,無(wú)需外部光學(xué)元件;

?精確的高度和傾斜程度調(diào)整;

?適用于許多不同類型的不同厚度的基材;

?各種選項(xiàng),附件可用于特殊配置,如繪圖階段,波長(zhǎng)擴(kuò)展,焦點(diǎn)等;

?2D3D輸出圖形以及用戶數(shù)據(jù)管理界面;



光譜橢偏儀應(yīng)用:

?半導(dǎo)體制造(PR,氧化物,氮化物......

?液晶顯示器(ITO,PR,Cell gap ......

?法醫(yī)學(xué),生物學(xué)材料

?油墨,礦物學(xué),顏料,調(diào)色劑

?制藥,科研

?光學(xué)涂層,TiO2,SiO2,Ta2O5 ......

?半導(dǎo)體化合物

?MEMS / MOEMS中的功能薄膜

?無(wú)定形,納米和硅晶圓

?太陽(yáng)能電池薄膜,CdTeCdS,CIGS,AZOCZTS ....



光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù):


型號(hào)

SE200

(DUV-Vis)


SE300

(Vis)


SE450

(Vis-Nir)


SE500

(DUV-Vis-Nir)


探測(cè)器類型

CCDCMOS陣列

CCDCMOS陣列

CCDCMOSInGaAs陣列

CCDCMOSInGaAs陣列

波長(zhǎng)范圍(nm

1901100

3701100

370-1700

190-1700

波長(zhǎng)點(diǎn)

測(cè)量波長(zhǎng)范圍和波長(zhǎng)數(shù)據(jù)點(diǎn)均在用戶配方中自定義(數(shù)據(jù)點(diǎn)僅受分辨率限制)

波長(zhǎng)分辨率

0.01 -3nm

0.01 -3nm

0.013nm

0.013nm

數(shù)據(jù)采集時(shí)間

100毫秒到10秒,用戶自定義

入射角范圍

2090

入射角分辨率

帶手動(dòng)測(cè)角儀的5度預(yù)設(shè)步驟,用于SExxx-BM配置;

程序控制0.001度分辨率,配有自動(dòng)測(cè)角儀,適用于SExxx-BA配置

偏光光學(xué)

旋轉(zhuǎn)偏振器,分析器和/或補(bǔ)償器的組合

光束尺寸

準(zhǔn)直光束,光束尺寸可在15mm范圍內(nèi)調(diào)節(jié)光圈; 可選的聚焦光束模式(可拆卸)可用于減小光斑尺寸

光源

D2 + TH/

TH

TH

D2 + TH/

燈泡壽命

4000小時(shí)

10000小時(shí)

10000小時(shí)

4000小時(shí)

可測(cè)量的厚度范圍

高達(dá)30μm

20nm50μm

20nm50μm

高達(dá)50μm

厚度精度

<1?0.1

索引精度

優(yōu)于0.0001

厚度準(zhǔn)確度

優(yōu)于0.25


15700106413
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