GCSTD-D新款GCSTD系列 土壤介電常數(shù)測定儀的詳細資料：

精度要求

在第5章和附錄 A中所規(guī)定的精度是:電容率精度為士1%，介質損耗因數(shù)的精度為士(5%士0.0005)。這些精度至少取決于三個因素:即電容和介質損耗因數(shù)的實測精度;所用電極裝置引起的這些量的校正精度;極間法向真空電容的計算精度(見表 1).在較低頻率下，電容的測量精度能達士(0.1%士。02pF)，介質損耗因數(shù)的測量精度能達士(2%士0.00005)。在較高頻率下，其誤差增大，電容的測量精度為士(0.5%士0. 1pF)，介質損耗因數(shù)的測量精度為士(2%土。.0002).

對于帶有保護電極的試樣，其測量精度只考慮極間法向真空電容時有計算誤差。但由被保護電極和保護電極之間的間隙太寬而引起的誤差通常大到百分之零點幾，而校正只能計算到其本身值的百分之幾。如果試樣厚度的測量能精確士。.005mm，則對平均厚度為 1. 6mm的試樣，其厚度測量誤差能達到百分之零點幾。圓形試樣的直徑能測定到士0.1%的精度，但它是以平方的形式引人誤差的，綜合這些因素，極間法向真空電容的測量誤差為10.5%e

對表面加有電極的試樣的電容，若采用測微計電極測量時，只要試樣直徑比測微計電極足夠小，則只需要進行極間法向電容的修正。采用其他的一些方法來測量兩電極試樣時，邊緣電容和對地電容的計算將帶來一些誤差，因為它們的誤差都可達到試樣電容的2%-40%。根據(jù)目前有關這些電容資料，計算邊緣電容的誤差為 10%，計算對地電容的誤差為25 。因此帶來總的誤差是百分之幾十到百分之幾。當電極不接地時，對地電容誤差可大大減小。

采用測微計電極時，數(shù)量級是。.03的介質損耗因數(shù)可測到真值的士0.0003，數(shù)量級0.0002的介質損耗因數(shù)可測到真值的士。.00005。介質損耗因數(shù)的范圍通常是。.0001-0.1，但也可擴展到。.1以上。頻率在10MH:和20MHz之間時，有可能檢測出。.00002的介質損耗因數(shù)。1-5的相對電容率可測到其真值的士20o，該精度不僅受到計算極間法向真空電容測量精度的限制，也受到測微計電極系統(tǒng)誤差的限制

簡要介紹

測試材料：

無源元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡元件等的阻抗參數(shù)評估和性能分析。

半導體元件：變?nèi)荻O管的C-VDC特性；晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析

其它元件：印制電路板、繼電器、開關、電纜、電池等的阻抗評估

介質材料：塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)和損耗角評估

磁性材料：鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導磁率和損耗角評估

半導體材料：半導體材料的介電常數(shù)、導電率和C-V特性

液晶材料：液晶單元的介電常數(shù)、彈性常數(shù)等C-V特性

新款GCSTD系列 土壤介電常數(shù)測定儀

新款GCSTD系列 土壤介電常數(shù)測定儀