美研制出新型“4維”晶體管

美國(guó)普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員推出了一項(xiàng)極為應(yīng)景的新發(fā)明：一種外形如同一顆圣誕樹(shù)一樣的新型晶體管，其重要組件“門(mén)”（柵極）的長(zhǎng)度縮減到了突破性的20納米。這個(gè)被稱為“4維”晶體管的新事物預(yù)告了半導(dǎo)體工業(yè)和未來(lái)計(jì)算機(jī)領(lǐng)域發(fā)展的潮流。該研究成果將于2月8日至2日在舊金山舉行的電子元器件會(huì)議上以兩篇論文的形式提交。

　　平面結(jié)構(gòu)的硅芯片晶體管一直沿用了半個(gè)多世紀(jì)，直至去年英特爾公司出垂直3維結(jié)構(gòu)的晶體管，才宣告邁入了3維立體時(shí)代。但硅的電子遷移率存在局限性，普渡大學(xué)電氣和計(jì)算機(jī)工程教授葉培德（音譯）表示，若想進(jìn)一步改進(jìn)3維晶體管，很可能需要用其他材料來(lái)取代硅，其中zui有前途的包括半導(dǎo)體材料砷化銦鎵。

　　新型“4維”晶體管中的3根微型納米線，正是由潛力、可望在0年內(nèi)取代硅的砷化銦鎵制成。納米線逐漸變細(xì)，形成了一個(gè)類似圣誕樹(shù)的錐形橫截面。葉培德形象地用樓房來(lái)比喻這種新工藝。“一個(gè)平房可以容納很多人，但樓層越多，容納的人就越多，晶體管也一樣。”他說(shuō)，“將晶體管堆疊起來(lái)，就能帶來(lái)通過(guò)電流更多、操作速度更快的高速運(yùn)算。這種方法增加了一個(gè)全新的層面，因此我稱之為4維。”

　　晶體管通過(guò)“門(mén)”來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)啟閉合，引導(dǎo)電流通過(guò)。“門(mén)”越小，意味著操作速度越快。在目前的3維硅晶體管中，“門(mén)”的長(zhǎng)度大約為22納米（十億分之一米），這種微小尺度的“門(mén)”在傳統(tǒng)平面晶體管上是無(wú)法正常工作的。工程師們還計(jì)劃出更小長(zhǎng)度的“門(mén)”，但尺寸減小到不足0納米同時(shí)性能得到進(jìn)一步提升，可能就需要采用硅以外的新材料了。

　　創(chuàng)建更小的晶體管也需要找到一種新型絕緣體作為介質(zhì)層來(lái)使“門(mén)”關(guān)閉。據(jù)稱，當(dāng)“門(mén)”的長(zhǎng)度小于4納米時(shí)，傳統(tǒng)晶體管使用的介質(zhì)就無(wú)法正常工作，晶體管關(guān)閉時(shí)會(huì)發(fā)生漏電。

　　而此次開(kāi)發(fā)出的新型晶體管中的納米線涂上了與以往不同的復(fù)合絕緣材料――一層4納米厚的鋁酸鑭，再加一層0.5納米厚的氧化鋁。葉培德說(shuō)，新的超薄介質(zhì)讓研究人員研制的這種砷化銦鎵晶體管擁有長(zhǎng)度為20納米的“門(mén)”，這是一個(gè)里程碑式的成果，有助于研制速度更快、更緊湊和更的集成電路以及更輕、產(chǎn)生更少熱量的筆記本電腦。