低阻型四探針檢測儀/方阻儀/四探針電阻率檢測儀  型號:WS-KDY-1

儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
（2）范圍：電阻率10-5～10+3歐姆·厘米，分辨率為10-5歐姆·厘米
方塊電阻10-4～10+4歐姆/□，zui小分辨率為10-4歐姆/□
（3）可測量材料：半導(dǎo)體材料硅鍺棒、塊、片、導(dǎo)電薄膜等
可準(zhǔn)確測量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥20㎜

可測量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥8㎜
（4）測量方式：平面測量。
（5）電壓表：雙數(shù)字電壓表，可同時觀察電流、電壓變化
A.量程0~19.999 mV
B.基本誤差±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)
C.靈敏度：1uV
D輸入阻抗﹥1000MΩ
E 4 1/2位數(shù)字顯示，0～19999
（6）恒流源：
A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續(xù)可調(diào)，有交流電源供給
B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔

 C.恒流源精度：各檔均≤±0.05%
（7）四探針測試探頭
A.探頭間距1.59㎜
B.探針機(jī)械游率：±0.3%
C.探針直徑0.8㎜
D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部分之間的緣電阻大于109歐姆。
（8）測試架：（選配）
手動測試架：KDJ-1A 型手動測試架探頭上下由手動操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測試，探針頭可上下移動距離：120mm，測試臺面200x200(mm)。
（9）精度
電器精度：1-1000歐姆≤0.3 %
整機(jī)測量精度：1-100歐姆·厘米≤3%
（10）電流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W
注：如果測金屬粉末電阻率必把樣品壓成塊或片才能測

雙電測四探針測試儀/四探針測試儀　型號：TC-RTS-5

TC-RTS-5型雙電測四探針測試儀采用了四探針雙電測組合(亦稱雙位組合)測量新技術(shù),將范德堡測量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響。因而每次測量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測量都是對幾何因素的影響進(jìn)行動態(tài)的自動修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提高了測量結(jié)果的準(zhǔn)確度。所有這些，用目前大量使用的常規(guī)四探針測量方法所生產(chǎn)的儀器是無法實現(xiàn)的。
   TC-RTS-5型雙電測四探針軟件測試系統(tǒng)是一個運(yùn)行在計算機(jī)上擁有友好測試界面的用戶程序，通過此測試程序輔助使用戶簡便地進(jìn)行各項測試及獲得測試數(shù)據(jù)并對測試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計分析。
    測試程序控制四探針測試儀進(jìn)行測量并采集測試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計算機(jī)中加以分析，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析
技術(shù)參數(shù)：
 測量范圍 電阻率：0.001～200Ω.cm(可擴(kuò)展)；  
 方塊電阻：0.01～2000Ω/□(可擴(kuò)展)； 
 電導(dǎo)率：0.005～1000 s/cm； 
 電阻：0.001～200Ω.cm； 
可測晶片厚度 ≤3mm
可測晶片直徑 140mmX150mm(配S-2A型測試臺)；
 200mmX200mm(配S-2B型測試臺)；
 400mmX500mm(配S-2C型測試臺)；
恒流源 電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　
 分辨力：10μV；
 輸入阻抗：>1000MΩ；
 精度：±0.1% ；
 顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；性、量程自動顯示；
四探針探頭基本指標(biāo) 間距：1±0.01mm；
 針間緣電阻：≥1000MΩ； 
 機(jī)械游移率：≤0.3%；
 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行) 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測量zui大相對誤差(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±4%
整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤4%
計算機(jī)通訊接口 并口
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度：23±2℃；
 相對濕度：≤65%；
 無高頻干擾；
 無強(qiáng)光直射；
 

數(shù)字式四探針測試儀/四探針測試儀/數(shù)字式四探針檢測儀　型號：TC-SZT-2000

TC-SZT-2000A型數(shù)字式四探針測試儀是根據(jù)四探針測試原理研究成功的多用途的綜合測量裝置，它可以測量棒狀、塊狀
半導(dǎo)體材料的電阻率和半導(dǎo)體擴(kuò)散層的薄層電阻進(jìn)行測量，可以從10-6--105Ω—cm全量程范圍檢測硅的片狀、棒狀材料的電阻、薄層電阻，是硅材料質(zhì)量監(jiān)測的必需儀器。
儀器為臺式結(jié)構(gòu)，分為電氣箱、測試架兩大部分，用戶可以根據(jù)測試需要安放在一般工作臺或者工作臺上，測試架由探頭及壓力傳動機(jī)構(gòu)、樣品架組成，耐磨和使用壽命長的特點。探頭內(nèi)設(shè)有彈簧壓力裝置，壓力從0—2Kg連續(xù)可調(diào)，測試架設(shè)有手動和電動兩種裝置供用戶選購。
儀器電氣箱主要由高靈敏的直流數(shù)字電壓表和高穩(wěn)定的恒流源組成，測量結(jié)果由數(shù)字直接顯示，儀器有自校量程，可以方便地對儀器的電氣性能進(jìn)行校驗。
儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、測量范圍廣、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點，儀器于半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科學(xué)研究部門、高等院校，對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試及工藝檢測。
儀器主要技術(shù)指標(biāo)：
1．  范圍：電阻率10-4—103Ω—cm，可擴(kuò)展至105Ω—cm，分辯率為10-6Ω—cm
         方塊電阻10-3—103Ω /□
         電阻10-6—105Ω
2．  可測半導(dǎo)體尺寸：直徑Φ15—150mm
3．  測量方式：軸向、斷面均可（手動測試架）
4．  數(shù)字電壓表（1）量程0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V 
  (2)測量誤差 0.2mV檔±（0.3%讀數(shù)+8字）
              2 mV檔以上±（0.3%讀數(shù)+2字）
  (3)輸入阻抗0.2mV、2mV擋105Ω
              20mV檔以上>108Ω
  (4)顯示3 1/2位數(shù)字顯示，0—1999
具有性和過載自動顯示，小數(shù)點、單位自動顯示
5．  恒流源：（1）電流輸出：直流電流0—100mA連續(xù)可調(diào)，由交流電源供給
   （2）量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 五檔
   （3）電流誤差：±（0.3%讀數(shù)+2字）
6．四探針測試探頭  （1）探頭間距：1mm   (2)探針機(jī)械游率：±0.3% 
                   (3) 探針：Φ0.5mm    (4)壓力：可調(diào)
  7. 測試架：
  （1）手動測試架：探頭上升及下降由手動操作，可以用作軸向和斷面的單晶棒和硅片測試。
  （2）電動測試架：探頭的上升和下降由電動操作，設(shè)有自動控制器控制，探頭上升時間1S—99S可調(diào)，探頭下降時間1S—99S可調(diào)，壓力恒定可調(diào)（由砝碼來設(shè)定）同時設(shè)有腳踏控制裝置由腳踏開關(guān)控制探頭上下運(yùn)動。
   8.電流：220V±10% 50HZ或60HZ：功率消耗<35W
9．    外形尺寸：電氣箱130×110×400mm

公司名稱：北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司
聯(lián) 系 人：蘇
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地    址：北京市通州區(qū)新華北街117號
網(wǎng)    站：www.5117sel.com