分立器件間歇壽命IoL功率老化-第三方檢測中心
高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。
試驗(yàn)對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟? 150℃;電壓 5000V;
高溫柵偏試驗(yàn)(HTGB)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗(yàn)對象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟? 150℃;電壓 100V;
高溫高濕反偏試驗(yàn)(H3TRB)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗(yàn)對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?5℃,濕度范圍:25%~95%,電壓 4500V;
功率老煉測試
試驗(yàn)對象:IGBT、TVS、壓敏電阻VDR;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 電壓:4500V,檢測 電流:200A
間歇壽命試驗(yàn)(IOL)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、 ;
試驗(yàn)對象:DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件;
檢測能力:ΔTj≧100℃ 電壓 60V,電流 50A。
功率循環(huán)試驗(yàn)(PC)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、 ;
試驗(yàn)對象:IGBT模塊;
檢測能力:ΔTj=100℃,電壓 30V,電流 1800A;
熱阻測試(Riath)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;
試驗(yàn)對象:各類二極管;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ核矐B(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻
分立器件間歇壽命IoL功率老化