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瞬態(tài)熱阻測試-功率老化

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產品型號
長禾CNAS
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所在地
西安市

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西安長禾半導體技術有限公司

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商鋪產品：23條

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產品簡介

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瞬態(tài)熱阻測試-功率老化
西安長禾半導體技術有限公司（簡稱“長禾實驗室"），作為CNAS功率器件測試服務中心，嚴格遵循國際標準，為國內外客戶提供一站式的專業(yè)測試服務。實驗室全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗證、可靠性評估和失效分析。

詳細介紹

瞬態(tài)熱阻測試-功率老化-第三方檢測中心

高溫反偏試驗（HTRB）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度 150℃；電壓 5000V；

高溫柵偏試驗（HTGB）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

試驗對象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度 150℃；電壓 100V；

高溫高濕反偏試驗（H3TRB）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度85℃，濕度范圍：25%~95%，電壓 4500V；

功率老煉測試

試驗對象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；

試驗能力：檢測電壓：4500V，檢測電流：200A

間歇壽命試驗（IOL）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、；

試驗對象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；

檢測能力：ΔTj≧100℃ 電壓 60V，電流 50A。

功率循環(huán)試驗（PC）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、；

試驗對象：IGBT模塊；

檢測能力：ΔTj=100℃，電壓 30V，電流 1800A；

熱阻測試（Riath）

執(zhí)行標準：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；

試驗對象：各類二極管；

試驗能力：瞬態(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻

瞬態(tài)熱阻測試-功率老化

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