簡要描述：不同的蒸發(fā)速率下沉積300nm的Au薄膜,研究蒸發(fā)速率對薄膜表面形貌和性能的影響。隨著蒸發(fā)速率的提高,薄膜的結(jié)構(gòu)變得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度減小。高純度金靶材磁控濺射儀KT-Z1650PVD在較短時間內(nèi)即可形成具有細粒度的均勻薄膜，儀器結(jié)構(gòu)緊湊，全自動控制，設(shè)計符合人體工程學(xué)。

詳細介紹

高純度金靶材磁控濺射儀

在不同的蒸發(fā)速率下沉積300nm的Au薄膜,研究蒸發(fā)速率對薄膜表面形貌和性能的影響。隨著蒸發(fā)速率的提高,薄膜的結(jié)構(gòu)變得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度減小。金薄膜方阻隨著蒸發(fā)速率提高無明顯變化,而方阻均勻性變差,但在可接受的范圍內(nèi)。但蒸發(fā)速率過高會引起金屬大顆粒增多。因此,選用適合的蒸發(fā)速率對Au膜質(zhì)量有很大影響。

高純度金靶材

應(yīng)用領(lǐng)域：

離子濺射儀在掃描電鏡中應(yīng)用十分廣泛，通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象，并提高觀測效率，另外可以使用噴碳附件對樣品進行蒸碳，實現(xiàn)不導(dǎo)電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。

高純度金靶材磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應(yīng)技術(shù)參數(shù)；

控制方式	7寸人機界面手動自動模式切換控制
濺射電源	直流濺射電源
鍍膜功能	0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序
功率	≤1000W
輸出電壓電流	電壓≤1000V 電流≤1A
真空	機械泵 ≤5Pa（5分鐘）分子泵≤5*10^-3Pa
濺射真空	≤30Pa
擋板類型	電控
真空腔室	石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm
樣品臺	可旋轉(zhuǎn)φ62 （可安裝φ50基底）
樣品臺轉(zhuǎn)速	8轉(zhuǎn)/分鐘
樣品濺射源調(diào)節(jié)距離	40-105mm
真空測量	皮拉尼真空計（已安裝測量范圍10E5Pa 1E-1Pa）
預(yù)留真空接口	KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進氣口