VIGO提供常見波長(zhǎng)的VCSEL外延，例如850nm，940nm，1550nm；也可提供結(jié)構(gòu)定制?？商峁┩庋诱蛘逥IE；無論是處于產(chǎn)品設(shè)計(jì)的概念階段，需要對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品進(jìn)行創(chuàng)新升級(jí)，還是尋求開箱即用的解決方案。我們都可以為客戶提供研發(fā)項(xiàng)目的技術(shù)支持，并提出新的方法和途徑來生產(chǎn)符合客戶要求的外延結(jié)構(gòu)。

850 nm VCSEL 外延結(jié)構(gòu)具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低閾值電流和適當(dāng)?shù)墓庾V特性，適用于電信和光通信應(yīng)用。

主要特點(diǎn)

厚度公差與規(guī)格 <0.01%

載體濃度公差 <+/-10%

標(biāo)準(zhǔn)波長(zhǎng)公差<+/-5nm

反射率下降位置 <+/-3nm（不包括5mm邊環(huán)）

芯片的顯微鏡圖像：

芯片尺寸：

產(chǎn)品性能

VCSEL，切割前的裸片，T=20 | 當(dāng)前孔徑Φ=~4μm

電光特性：

PARAMETER	SYMBOL	TEST COND.	SAMPLE NO.21_1L
Emission wavelength	λ_R[nm]	P_OP=2.0mW	854
Threshold current	I_Th [mA]	——	0.7
Threshold voltage	V_TH [V]	——	1.95
Laser current	l_op [mA]	P_OP=2.0mW	2.63
Laser voltage	U_op [V]	P_OP=2.0mW	2.37
Slope efficiency	n_s [W/A]	——	1.02
Output power	P_opt [mW]	P_OP=6.0mW	4.93
Differential series resistance	R_s[2]	P_OP=2.0mW	180
Thermal resistance(VCSEL chip)	R_thremal[K/mW]	——	6.2-7.8
Side mode suppression ratio	SMSR	P_OP=2.0mW	25
Wavelength tuning over temperature	[nm/K]	——	0.052
Wavelength tuning over current	dλ/dl [nm/mA]	——	0.72-0.85

額定值：

溫度：儲(chǔ)存（-40℃至120℃），工作（-20℃至110℃）

電氣：反向電壓（5V）CW電流（10mA），脈沖電流（7mA）

FP-DIP的波長(zhǎng)分布

MQW的光致發(fā)光掃描

SIMS-二次離子質(zhì)譜

Si和C摻雜劑的分布。 DBR 和 QW 中的可見 Al(x)Ga(1-x)As 層/有源區(qū)中的勢(shì)壘

光譜特性

電光特性

產(chǎn)品應(yīng)用

面向光通信、3D視覺、人臉識(shí)別、原子鐘、磁強(qiáng)計(jì)、激光雷達(dá)、醫(yī)療醫(yī)美、AR/VR等等行業(yè)廠商的VCSEL外延需求

關(guān)鍵詞：芯片顯微鏡

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