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CIF RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

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更新時(shí)間：2023-01-13 14:24:32瀏覽次數(shù)：510次

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華儀行（北京）科技有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)，科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性?xún)r(jià)比高，易維護(hù)，處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。主要參數(shù)：{dede:field.main/}發(fā)動(dòng)機(jī)：{de......

詳細(xì)介紹

介電材料（SiO2、SiNx等）

硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

III-V材料（GaAs、InP、GaN等）

濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W等）

類(lèi)金剛石（DLC）

0609_刻蝕機(jī)-3.3.jpg

產(chǎn)品特點(diǎn)：

PLC工控機(jī)控制整個(gè)清洗過(guò)程，全自動(dòng)進(jìn)行。

7寸彩色觸摸屏互動(dòng)操作界面，圖形化操作界面顯示，自動(dòng)監(jiān)測(cè)工藝參數(shù)狀態(tài)，0~99配方程序，可存儲(chǔ)、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù)，機(jī)器運(yùn)行、停止提示。

手動(dòng)、自動(dòng)兩種工作模式。

全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無(wú)污染。

采用防腐數(shù)字流量計(jì)控制，標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，氣體分配均勻?？奢斎?/span>氧氣、氬氣、氮?dú)?、四氟化碳、氫氣或混合?/span>等氣體。

具備HEPA高效過(guò)濾氣體返填吹掃功能。

符合人體功能學(xué)的60度傾角操作界面設(shè)計(jì)，操作方便，界面友好。

316不銹鋼、航空鋁真空倉(cāng)選擇。

采用頂置真空倉(cāng)，上開(kāi)蓋設(shè)計(jì)，下壓式鉸鏈開(kāi)關(guān)方式。上置式360度水平取放樣品設(shè)計(jì)，符合人體功能學(xué)，操作更方便。

有效處理面積大，可處理直徑200mm晶元硅片。

安全保護(hù)，倉(cāng)門(mén)打開(kāi)，自動(dòng)關(guān)閉電源。

技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	RIE200	RIE200plus
艙體內(nèi)尺寸	H38xΦ260mm	H38xΦ260mm
艙體容積	2L	2L
射頻電源	40KHz	13.56MHz
電極	不銹鋼氣浴RIE電極，Φ200mm	不銹鋼氣浴RIE電極，Φ200mm
匹配器	自動(dòng)匹配	自動(dòng)匹配
刻蝕方式	RIE	RIE
射頻功率	10-300W可調(diào)（可選10-1000W）	10-300W可調(diào)（可選10-600W）
氣體控制	質(zhì)量流量計(jì)（MFC）（標(biāo)配雙路，可選多路）流量范圍0-500SCCM（可調(diào)）
工藝氣體	Ar、N?、O?、H?、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合氣體等（可選）
處理尺寸	≤Φ200mm
時(shí)間設(shè)定	1-99分59秒
真空泵	抽速約8m3/h
氣體穩(wěn)定時(shí)間	1分鐘
極限真空	≤1Pa
電源	AC220V 50-60Hz，所有配線(xiàn)符合《低壓配電設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線(xiàn)路設(shè)計(jì)規(guī)范》等國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)規(guī)定。

當(dāng)?shù)入x子蝕刻應(yīng)用涉及使用氧氣作為工藝氣體時(shí)，出于安全原因，強(qiáng)烈建議使用Edwards愛(ài)德華真空泵 RV3雙級(jí)旋片泵或類(lèi)似的合成油旋轉(zhuǎn)機(jī)械泵。因?yàn)?/span>Edwards愛(ài)德華RV3雙級(jí)旋片泵在泵科學(xué)應(yīng)用方面已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)然，在需要避免使用油基旋轉(zhuǎn)機(jī)械泵的地方，也可選擇干式真空泵。

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