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高溫離子氮化爐

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更新時間：2023-06-16 17:37:35瀏覽次數(shù)：267次

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產品簡介

脈沖等離子PulsPlasma®系統(tǒng)包括真空爐室，輔助加熱系統(tǒng)，保溫系統(tǒng)，溫度測量系統(tǒng)，鐘罩提升系統(tǒng)，工藝氣體循環(huán)系統(tǒng)，冷卻系統(tǒng)，工藝控制系統(tǒng)以及離子發(fā)生器系統(tǒng)

詳細介紹

脈沖等離子PulsPlasma®系統(tǒng)包括真空爐室，輔助加熱系統(tǒng)，保溫系統(tǒng)，溫度測量系統(tǒng)，鐘罩提升系統(tǒng)，工藝氣體循環(huán)系統(tǒng)，冷卻系統(tǒng)，工藝控制系統(tǒng)以及離子發(fā)生器系統(tǒng)。這其中的離子發(fā)生器系統(tǒng)是普發(fā)拓普公司的設計，可以避免打弧現(xiàn)象的發(fā)生而且節(jié)能效果明顯。爐體可以是鐘罩式設計，也可以是井式爐或臥式設計。根據(jù)設備的大小，加熱控制區(qū)至少配有三組獨立控制升溫和降溫的加熱器，通過這些獨立控制的加熱器獲得較好的均溫性。

工藝特點：

通過熱壁技術實現(xiàn)良好的均溫性

工藝氣體消耗少，沒有污染氣體

靈活的滲氮溫度，溫度范圍 300 ℃ - 800 ℃

白亮層可控

可處理不銹鋼

可處理燒結鋼

可以在同一爐工藝集成脈沖離子氮化-氧化工藝

設備特點：

不產生打弧，工件表面無破壞

加熱和控制系統(tǒng)，至少3區(qū)獨立的加熱和冷卻區(qū)域

控制區(qū)溫度均勻分布

PulsPlasma®電源，電壓和電流近乎方波，幾微妙內獲得

設定的全部脈沖電流，主動抑制打弧監(jiān)測（開關時間
電源可升級至5年質保

可在低溫下對工件表面進行等離子清洗

設備布局緊湊，節(jié)省空間，所有部件集成在一個基礎框架內

模塊化設計，提供單室型、交替型和雙室型設備

特殊航天保溫材料，熱容量低，功率損耗低，節(jié)省重量