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更新時(shí)間：2024-02-08 15:25:59瀏覽次數(shù)：185次
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SiPM探測(cè)器硅光電倍增管（Siliconphotomultiplier，簡稱SiPM)，是一種新型的光電探測(cè)器件，由工作在蓋革模式的雪崩二極管陣列組成，SiPM單光子探測(cè)器具有增益高、靈敏度高、偏置電壓低、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、結(jié)構(gòu)緊湊等特點(diǎn)
SiPM探測(cè)器
硅光電倍增管（Silicon photomultiplier，簡稱SiPM)，是一種新型的光電探測(cè)器件，由工作在蓋革模式的雪崩二極管陣列組成，SiPM單光子探測(cè)器具有增益高、靈敏度高、偏置電壓低、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、結(jié)構(gòu)緊湊等特點(diǎn)。SiPM單光子探測(cè)器發(fā)明于二十世紀(jì)九十年代末，廣泛應(yīng)用于高能物理及核醫(yī)學(xué)（PET）等領(lǐng)域，代表著未來極微弱光探測(cè)器的發(fā)展方向。
SiPM單光子探測(cè)器主要參數(shù)：
| 有效面積 | 3mmX3mm |
| 像元尺寸 | 15um |
| 微孔數(shù)量 | 38800 |
| 探測(cè)效率 | 31% @ 430nm, ctrl=0.7V |
| 暗計(jì)數(shù)率 | 125kHz/mm3 |
| 串?dāng)_幾率 | 18% |
| 殘留脈沖幾率 | 5% |
| 恢復(fù)時(shí)間 | 15ns |
| 跨阻增益 | 150V/A |
| 輸出帶寬 | 12.5MHz |
| 偏置電壓 | 0-1V |
| 輸入電壓 | 5VDC |
| 功耗 | 350mW （typ.） |
| 外觀尺寸 | 40mm×50mm×19.8mm |
| 工作溫度 | 0-60oC |
SiPM單光子探測(cè)器應(yīng)用圖例：
流式細(xì)胞應(yīng)用 PMT和SiPM雙光子成像對(duì)比
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