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上海巨納科技有限公司
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所 在 地上海
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更新時間：2024-02-14 15:13:21瀏覽次數(shù)：270次
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簡要描述：碲化鉍晶體 Bi2Te3（Bismuth Telluride） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米電氣性能：拓撲絕緣體的晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%
碲化鉍晶體 Bi2Te3(Bismuth Telluride)
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米
電氣性能：拓撲絕緣體的
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
碲化鉍晶體 Bi2Te3(Bismuth Telluride)
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米
電氣性能：拓撲絕緣體的
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
XRD of a single crystal Bi2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.
EDX of a single crystal Bi2Te3.
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