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硒化鎵晶體（百分之99.995）2H-GaSe

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產(chǎn)品型號(hào)

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地上海

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更新時(shí)間：2024-02-13 16:05:42瀏覽次數(shù)：230次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

簡(jiǎn)要描述：硒化鎵晶體 2H-GaSe（Gallium Selenide）晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90#176;, γ =120#176;晶體類(lèi)型：合成晶體純度：＞99.995%

詳細(xì)介紹

硒化鎵晶體 2H-GaSe(Gallium Selenide)
晶體尺寸：10毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°
晶體類(lèi)型：合成
晶體純度：＞99.995%

X-ray diffraction on a GaSe single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (001) with h = 4, 6, 8, 10, 12

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GaSe. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal GaSe by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal GaSe. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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