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德國(guó) SUSS全自動(dòng)光刻機(jī)MA100/150e Gen2

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產(chǎn)品型號(hào)MA100/150e Gen2

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更新時(shí)間：2024-04-30 08:28:47瀏覽次數(shù)：202次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

基于SUSSMicroTec的光刻機(jī)經(jīng)典設(shè)計(jì)，MA100/150eGen2提供了的工藝延展性，使客戶能夠?qū)⑿碌男酒O(shè)計(jì)快速投入市場(chǎng)，其光刻作業(yè)產(chǎn)量高達(dá)每小時(shí)145片

詳細(xì)介紹

基于SUSS MicroTec的光刻機(jī)經(jīng)典設(shè)計(jì)，MA100/150e Gen2提供了的工藝延展性，使客戶能夠?qū)⑿碌男酒O(shè)計(jì)快速投入市場(chǎng)，其光刻作業(yè)產(chǎn)量高達(dá)每小時(shí)145片。

MA100/150e Gen2針對(duì)上至4英寸的小尺寸晶圓片進(jìn)行了特別優(yōu)化設(shè)計(jì)。系統(tǒng)可以穩(wěn)定地達(dá)到優(yōu)于0.7µm的對(duì)準(zhǔn)精度（直接對(duì)準(zhǔn)）。選配的底部對(duì)準(zhǔn)功能（BSA），對(duì)準(zhǔn)精確度優(yōu)于±1.5 µm。MA100/150e的對(duì)準(zhǔn)單元針對(duì)LED制造工藝要求進(jìn)行了特別調(diào)校，透明和表面粗糙的晶圓片都能獲得的對(duì)比度。

在光刻工藝中，只需對(duì)準(zhǔn)器件晶圓同側(cè)的結(jié)構(gòu)（例如再布線層、微凸點(diǎn) 等），用頂部對(duì)準(zhǔn)功能將掩模位置標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)晶圓位置標(biāo)記。根據(jù)襯底的特性，這可以用存儲(chǔ)的晶圓位置數(shù)據(jù)或者用兩個(gè)現(xiàn)場(chǎng)照片、SUSS MicroTec 開發(fā)的DirectAlign™ 直接對(duì)準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

我們的客戶可以從中得到以下好處

掩模對(duì)準(zhǔn)器的對(duì)準(zhǔn)精度
清晰、強(qiáng)大的圖像識(shí)別功能，即使在對(duì)比度不理想的情況下

應(yīng)用微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）、圓晶級(jí)封裝和三維集成的工藝，例如在接板上制造垂直通孔 (TSV)，需要與正面結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)的晶圓背面結(jié)構(gòu)。此時(shí)常使用光學(xué)背面對(duì)準(zhǔn)。集成攝像機(jī)系統(tǒng)采集掩模結(jié)構(gòu)和晶片背面結(jié)構(gòu)并將它們相互對(duì)準(zhǔn)。由于晶圓在裝載掩模靶后被覆蓋，必須預(yù)先確定并存儲(chǔ)其位置。這對(duì)整個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提出了特殊的要求。

我們的客戶可以從中得到以下好處

SUSS 掩模對(duì)準(zhǔn)器憑借其的機(jī)械精度和穩(wěn)定性帶來的準(zhǔn)確性

提高對(duì)準(zhǔn)精度

當(dāng)對(duì)套刻精度有較高要求時(shí)，大大提升標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)功能。DirectAlign®，SüSS MicroTecs 圖像識(shí)別軟件附加功能，放棄圖片存儲(chǔ)系統(tǒng)中的結(jié)構(gòu)圖文件，取而代之的是訪問實(shí)況圖。結(jié)構(gòu)識(shí)別基于工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) PatMax 且取得了優(yōu)異成績(jī)。因此，在 SUSS 掩模對(duì)準(zhǔn)器上用 Direct Align® 進(jìn)行頂面對(duì)準(zhǔn)時(shí)對(duì)準(zhǔn)精度可達(dá)到 0.5 微米。
對(duì)易混淆結(jié)構(gòu)或視野受限的苛刻對(duì)準(zhǔn)過程建議使用強(qiáng)化對(duì)準(zhǔn)。

多層晶圓堆疊被應(yīng)用在許多構(gòu)造工藝中。用紅外照射可以識(shí)別并對(duì)準(zhǔn)通常埋在層之間的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

紅外光還可以根據(jù)這些埋入的標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。這需要使用能透過紅外線的材料，例如硅、III-V族半導(dǎo)體（如砷化鎵）以及臨時(shí)鍵合和鍵合分離工藝中所使用的粘著劑通過個(gè)例研究檢查可行性。

為了盡可能擴(kuò)大紅外對(duì)準(zhǔn)的使用范圍，SUSS 掩模對(duì)準(zhǔn)器可以選配強(qiáng)大的紅外光源和高性能攝像系統(tǒng)。

我們的客戶可以從中得到以下好處

強(qiáng)大的紅外光源和高性能攝像系統(tǒng)

將一個(gè)已形成結(jié)構(gòu)的掩模與圓晶對(duì)齊，然后將掩模與圓晶的距離縮得非常?。ㄒ虼擞纸小敖咏焦饪?）。在曝光過程中，掩模結(jié)構(gòu)的影子被轉(zhuǎn)移到圓晶上。掩模于圓晶之間距離的精度以及曝光鏡頭系統(tǒng)的質(zhì)量，一起決定了曝光結(jié)果的質(zhì)量。

該方法因?yàn)樗俣瓤?，?yīng)用靈活，從而成為微結(jié)構(gòu)生產(chǎn)成本效益的方法，它能生產(chǎn)出最小3微米的微結(jié)構(gòu)。接觸式曝光能達(dá)到亞微米級(jí)別的分辨率。典型的應(yīng)用范圍包括圓晶級(jí)芯片尺寸封裝、倒裝芯片封裝、凸點(diǎn)、微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）、LED和電力設(shè)備等領(lǐng)域。這些系統(tǒng)被應(yīng)用到了大規(guī)模生產(chǎn)的以及工業(yè)研究領(lǐng)域中。

SUSS MicroTec 公司的掩模對(duì)準(zhǔn)器以陰影工藝為基礎(chǔ)。

我們的客戶可以從中得到以下好處

因?yàn)殓R頭系統(tǒng)衍射減少，從而得到更突出的分辨率。
使用了微鏡片鏡頭系統(tǒng)，所以工藝穩(wěn)定

關(guān)鍵詞：芯片

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