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CS2350H雙恒電位儀

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更新時(shí)間：2022-11-14 14:39:52瀏覽次數(shù)：213次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

CS2350H雙恒電位儀是基于常規(guī)單通道系列CS350型發(fā)展而來，內(nèi)置兩套可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立、同時(shí)測(cè)試的恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出，并由CSStudio軟件來協(xié)調(diào)輸出電位/電流

詳細(xì)介紹

CS2350H雙恒電位儀是基于常規(guī)單通道系列CS350型發(fā)展而來，內(nèi)置兩套可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立、同時(shí)測(cè)試的恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出，并由CS Studio軟件來協(xié)調(diào)輸出電位/電流。具體應(yīng)用于：

（1）電合成、電沉積（電鍍）、陽(yáng)極氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；

（2）電化學(xué)分析研究，包括：氧還原研究（ORR）、氧析出研究（OER）、氫析出（HER）、二氧化碳還原等；

（3）能源材料（鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等）、功能材料以及傳感器的性能研究；

（4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；

（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。

CS2350H除了具備單通道工作站的所有特點(diǎn)，還可用于電化學(xué)分析四電極工作體系，尤其在氧還原（ORR）中間產(chǎn)物收集、金屬中氫擴(kuò)散測(cè)試有著廣泛的運(yùn)用。

功能方法

穩(wěn)態(tài)極化
開路電位測(cè)量（OCP）、恒電位極化（i-t曲線）、恒電流極化、動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線）、動(dòng)電流掃描（DGP）
暫態(tài)極化
任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍（ISTEP）
計(jì)時(shí)分析
計(jì)時(shí)電位法（CP）、計(jì)時(shí)電流法（CA）、計(jì)時(shí)電量法（CC）
伏安分析
線性掃描伏安法（LSV）、線性循環(huán)伏安法（CV）、階梯循環(huán)伏安法（SCV）、方波伏安法（SWV）、差分脈沖伏安法（DPV）、常規(guī)脈沖伏安法（NPV）、常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）、差分脈沖電流檢測(cè)法（DPA）、雙差分脈沖電流檢測(cè)法（DDPA）、三脈沖電流檢測(cè)法（TPA）、積分脈沖電流檢測(cè)法（IPAD）、交流伏安法（ACV）、二次諧波交流伏安（SHACV）、傅立葉變換交流伏安（FTACV）
溶出伏安
恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安、差分脈沖溶出伏安、常規(guī)脈沖溶出伏安、常規(guī)差分脈沖溶出伏安、交流溶出伏安
交流阻抗
電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～時(shí)間掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～電位掃描（Mott-Schottky曲線）
腐蝕測(cè)量
循環(huán)極化曲線（CPP）、線性極化曲線（LPR）、動(dòng)電位再活化法（EPR)、電化學(xué)噪聲（EN）、電偶腐蝕測(cè)量（ZRA）、氫擴(kuò)散測(cè)試
電池測(cè)試
電池充放電測(cè)試、恒電流充放電
擴(kuò)展測(cè)量
盤環(huán)電極測(cè)試、數(shù)字記錄儀、波形發(fā)生器、圓盤電機(jī)控制、其它外設(shè)擴(kuò)展端口（定制）

硬件參數(shù)指標(biāo)

雙恒電位儀：單恒電位電位控制范圍：±10V 雙恒電位儀電位控制范圍:±10V	恒電流控制范圍：±2A
電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV	電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)
電位靈敏度：10μV(>100Hz), 3μV(<10hz)	電流靈敏度：1pA
電位上升時(shí)間：＜1μs(<10ma),＜10μs(<2a)	電流量程：2A～2nA, 共10檔
參比電極輸入阻抗：1012Ω 20pF	輸出電流：2A
槽壓輸出：±21V	電流掃描增量：1mA @1A/mS
CV和LSV掃描速度：0.001mV～10,000V/s	電位掃描電位增量：0.076mV @1V/mS
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65,000s	DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
SWV頻率：0.001～100KHz	CV的小電位增量：0.075mV
AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz	電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS	低通濾波器：8段可編程
通訊接口：網(wǎng)口	儀器凈重：7.5Kg
外形尺寸（cm）：36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)

電化學(xué)阻抗測(cè)量參數(shù)

信號(hào)發(fā)生器
頻率響應(yīng)：10μHz～1MHz	交流信號(hào)幅值：1mV～2500mV
頻率度：0.005%	信號(hào)分辨率：0.1Mv RMS
直流偏壓：-10V～+10V	DDS輸出阻抗：50Ω
波形：正弦波，三角波，方波	正弦波失真率 lt;1%
掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降
信號(hào)分析器
積分時(shí)間：106個(gè)循環(huán)或者105S	測(cè)量時(shí)間延遲：0～105秒
小積分時(shí)間：10mS 或者一個(gè)循環(huán)的長(zhǎng)時(shí)間
直流偏置補(bǔ)償
電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V	電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A
帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào)

典型應(yīng)用

配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）用于研究氧化還原體系

在測(cè)量圓盤電極極化曲線的同時(shí)，將環(huán)電壓設(shè)置為恒電位，控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢(shì)，用以檢測(cè)圓盤電極上產(chǎn)生的反應(yīng)中間物，該方法也成為檢測(cè)反應(yīng)中間物和研究電極反應(yīng)機(jī)理的典型流體動(dòng)力學(xué)方法。氧還原反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和相應(yīng)的雙氧水（中間產(chǎn)物）產(chǎn)率可分別通過公式測(cè)得：

其中知Idisk和Iring分別為測(cè)得的盤電流和環(huán)電流，電極收集效率N由盤環(huán)電極參數(shù)決定（常數(shù)）。將測(cè)試結(jié)果代入以上公式即可求得實(shí)際反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n和H2O2（%）所占比例。

金屬中氫擴(kuò)散測(cè)試

兩個(gè)恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski雙電解池，通過左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽(yáng)極氧化電流測(cè)量，進(jìn)而計(jì)算氫原子在金屬中擴(kuò)散系數(shù)和氫通量。

配置：
1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2）CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3）電解池（含鹽橋和排氣管）2套
4）鉑金電極、參比電極、工作電極各2支
5）模擬電解池1個(gè)
6）電源線/通訊線各1條
7）電極電纜線2條
8）屏蔽箱（選配*）