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GaSe晶體, AGSe晶體, CdSe晶體

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更新時間：2024-03-07 13:04:29瀏覽次數(shù)：195次

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產(chǎn)品簡介

GaSe晶體是一種六邊形晶體，主要用于遠紅外波段的二次諧波產(chǎn)生。AGSe晶體-硒化銀（AgGaSe2，有時也稱為銀鎵硒化物）廣泛應用于中紅外（MIR）、紅外（IR）和遠紅外（FIR）光應用，是樹波相互作用的晶體之一。CdSe晶體（硒化鎘）是晶體材料，通常取向為纖鋅礦（六角形）。硒化鎘晶體廣泛應用于各種中紅外（MIR）領(lǐng)域，見的是CdSe用于制造紅外光學元件，以及CO、CO2或其它紅外激光系......

詳細介紹

非線性晶體，GaSe晶體, AGSe晶體, CdSe晶體

硒化鎵（GaSe）是一種六邊形晶體，主要用于遠紅外波段的二次諧波產(chǎn)生。硒化鎵具有極低的莫氏硬度，使其非常脆弱，消除了應用機械處理或涂層的可能性。3photon可以提供沿光軸Z切割的氣體晶體。

大的非線性光學（NLO）系數(shù)使得AGSe成為非線性光學（NLO）應用中的紅外晶體之一。與AGS相比，硒鋁酸銀（AGSe）具有紅外吸收系數(shù)低、熔點低等優(yōu)點。

近年來，人們采用了幾種晶體生長方法來生長CdSe單晶和多晶材料?；瘜W氣相輸運、固態(tài)再結(jié)晶、溫度梯度溶液區(qū)生長、高壓垂直區(qū)熔是獲得高質(zhì)量CdSe晶體的主要方法。3photon可以隨時為晶體生長提供專業(yè)建議。CdSe拋光后，可根據(jù)要求對材料進行涂層處理。內(nèi)部涂層由經(jīng)驗豐富的涂層工程師進行建模和沉積。

GaSe晶體特點：

- GaSe是非常軟的材料，不能進行拋光或涂層程序；

-透明度范圍：900-16000nm；

-只能在一個平面（001）上切割；

-由于高折射率和可用的方向限制，只能使用較小的θ角；

-較便宜的替代AGS或AGSe，可產(chǎn)生2400 nm–20000 nm或太赫茲輸出。

GaSe晶體典型應用：

-GaSe電子和光學應用:

高功率飛秒激光器；

太赫茲（THz）產(chǎn)生；

寬帶中紅外（MIR）電磁波產(chǎn)生的替代方案；

在中紅外（MIR）中產(chǎn)生二次諧波（SHG），用于CO、CO2、染料激光器等。；