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更新時(shí)間：2024-02-07 10:05:24瀏覽次數(shù)：173次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線每個(gè)1550系列5x5近紅外光電探測(cè)器使用密封的定制封裝，分別連接到專(zhuān)用的外部引線。Amplification近紅外探測(cè)器陣列由25個(gè)探測(cè)器組成，排列成5乘5的陣列配置，中心到中心的間距為100μm，總探測(cè)面積為0.5mm*0.5mm
DAPDNIR 5x5 Array探測(cè)器，5×5陣列，950~1650nm，具有溫度穩(wěn)定功能
每個(gè)1550系列5x5近紅外光電探測(cè)器使用密封的定制封裝，分別連接到專(zhuān)用的外部引線。Amplification近紅外探測(cè)器陣列由25個(gè)探測(cè)器組成，排列成5乘5的陣列配置，中心到中心的間距為100μm，總探測(cè)面積為0.5mm*0.5mm
近紅外銦鎵砷探測(cè)器陣列的主要特點(diǎn)：
-5×5陣列近紅外探測(cè)器采用In0.47Ga0.53As吸收器設(shè)計(jì)，可在950nm至1650nm的寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)工作
-設(shè)計(jì)用于在各種環(huán)境溫度下運(yùn)行，其中使用低功率兩級(jí)熱電冷卻器冷卻陣列溫度
-針對(duì)0.1ns至20ns激光雷達(dá)脈沖檢測(cè)的定制設(shè)計(jì)，具有高達(dá)50MHz的高重復(fù)頻率
- NIR InGaAs光子探測(cè)器陣列具有的偏置電壓穩(wěn)定性
-每光子約75,000電子的高增益，足夠高以允許50Ω射頻前置放大器；無(wú)需進(jìn)行跨阻抗匹配
-低噪聲因子
美國(guó)Amplification Technologies近紅外離散放大光子探測(cè)器陣列（DAPD：Discrete Amplification Photon Detector）5×5陣列近紅外探測(cè)器，具有溫度穩(wěn)定功能。Amplification1550系列5x5近紅外光電探測(cè)器可實(shí)現(xiàn)近紅外光譜響應(yīng)，950nm至1650nm、高速自淬火近紅外銦鎵砷探測(cè)器5x5 Array，轉(zhuǎn)為3D激光雷達(dá)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。DAPDNIR 5x5 Array探測(cè)器利用了Amplification Technologies開(kāi)發(fā)和獲得的突破性離散放大方法，該方法使用多通道放大和單片集成負(fù)反饋雪崩機(jī)制來(lái)放大低電平電信號(hào)。離散放大技術(shù)具有內(nèi)部放大功能，可提供非常高的增益（約100,000），這與非常低的過(guò)量噪聲系數(shù)（低于1.05）和快速響應(yīng)（上升時(shí)間快于0.6ns）相結(jié)合。這些特性使NIR陣列式光電探測(cè)器DAPD能夠檢測(cè)單光子，并優(yōu)化極低光水平的檢測(cè)。
NIR陣列式光電探測(cè)器主要應(yīng)用：
1550系列5x5近紅外光電探測(cè)器系列設(shè)計(jì)用于激光雷達(dá)系統(tǒng)、三維激光雷達(dá)成像和環(huán)境監(jiān)測(cè)應(yīng)用。該NIR InGaAs光子探測(cè)器陣列針對(duì)0.5ns至20ns的激光脈沖長(zhǎng)度進(jìn)行了優(yōu)化。25個(gè)探測(cè)器中的每個(gè)探測(cè)器都分別連接到封裝中的專(zhuān)用引腳，在封裝的四面都有公共陰極連接。能夠連接到25個(gè)像素中的任何一個(gè)提供了多個(gè)級(jí)別的靈活性。例如，離散放大InGaAs光子探測(cè)器陣列可以連接成四分之一配置或作為單個(gè)寬面積探測(cè)器。
NIR InGaAs探測(cè)器陣列作為50Ω系統(tǒng)的電子放大提供了額外的設(shè)計(jì)功能靈活性，使用現(xiàn)成的50Ω電子放大。陣列設(shè)計(jì)為在脈沖檢測(cè)模式下以恒定偏置運(yùn)行，以連續(xù)模式運(yùn)行，進(jìn)一步降低了電氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，并提供了許多選項(xiàng)來(lái)將Amplification探測(cè)器陣列系統(tǒng)與模擬到數(shù)字采樣系統(tǒng)、幀抓取器等進(jìn)行集成。
Amplification近紅外探測(cè)器陣列的規(guī)格：
注：下表的近紅外銦鎵砷探測(cè)器陣列規(guī)格是在封裝環(huán)境溫度為-45°C時(shí)得出的；所有數(shù)值均為典型值。
| 參數(shù) | DAPDNIR 5x5 Array 1550 series 100 µm Pitch | 單位 |
| 有效區(qū)域尺寸 | 500 by 500 | µm2 |
| 有效區(qū)域單像素 | 90 by 90 | µm2 |
| 像素?cái)?shù) | 25 | - |
| 光子檢測(cè)效率@1064nm (PDE)1 | 15 | % |
| 光譜響應(yīng)范圍（λ） | 950-1650 | nm |
| 單光電子增益 (M) | 1x105 | - |
| 過(guò)量噪聲系數(shù) | 1.05 | - |
| 暗計(jì)數(shù)率（單像素） | 4 | MHZ |
| 工作偏置 | 50-70 | V |
| 上升時(shí)間（10%- 90%） | 600 | ps |
| 單放大通道恢復(fù)時(shí)間（-35℃時(shí)） | 50 | ns |
| 額定值 | ||
| 損傷閾值 | 0.5 | nJ |
| 工作電流（反向偏置） | 50 | μA |
| 工作電壓 | -(Vop+4)2 | V |
（1）光子檢測(cè)效率包括后脈沖。
（2）靈敏度的工作偏置Vop由Amplification Technologies測(cè)試后提供。
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